[發(fā)明專利]包括機(jī)械加強(qiáng)蓋并且具有吸氣效應(yīng)的封裝結(jié)構(gòu)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410364783.1 | 申請(qǐng)日: | 2014-07-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104340948A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-02-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 格扎維?!ぐ琢?/a>;伯納德·迪埃姆;簡(jiǎn)-菲利普·波利齊;安德烈·羅扎德 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 原子能和替代能源委員會(huì) |
| 主分類號(hào): | B81B7/02 | 分類號(hào): | B81B7/02 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 歸瑩;張穎玲 |
| 地址: | 法國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 法國(guó);FR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 包括 機(jī)械 加強(qiáng) 并且 具有 吸氣 效應(yīng) 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種用于封裝至少一個(gè)微型裝置(104)的結(jié)構(gòu)(100),所述至少一個(gè)微型裝置(104)被制造在基底(102)上和/或基底(102)中并且被定位在至少一個(gè)在所述基底(102)和剛性地附接到所述基底(102)上的蓋(106)之間形成的腔(110)中,其中,所述蓋(106)至少包括:
一層第一材料層(112),所述第一材料層(112)的一個(gè)表面(114)形成所述腔(110)的內(nèi)壁,以及
剛性地連接到所述第一材料層(112)的至少所述表面(114)上的機(jī)械加強(qiáng)部分(116),所述機(jī)械加強(qiáng)部分(116)部分地覆蓋所述第一材料層(112)的所述表面(114)并且具有氣體吸收和/或吸附性能,其中,這些機(jī)械加強(qiáng)部分(116)包括至少一種第二材料,所述第二材料的楊氏模量高于所述第一材料的楊氏模量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)(100),其中,所述第二材料為金屬吸氣材料。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)(100),其中,每個(gè)所述機(jī)械加強(qiáng)部分(116)包括至少一個(gè)所述第二材料的第一層(118)和至少一個(gè)第三金屬吸氣材料的第二層(120),使得所述第二材料的第一層(118)被定位在所述第一材料的層(112)和所述第三材料的第二層(120)之間和/或被所述第三材料的第二層(120)覆蓋。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)(100),其中,每個(gè)所述機(jī)械加強(qiáng)部分(116)包括堆疊的層(118,120),所述堆疊的層(118,120)的至少兩層形成了在所述蓋(106)上施加指向所述腔(110)外部的力的雙金屬條。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)(100),其中,所述材料由硅和/或二氧化硅和/或氮化硅制成,并且所述第二材料由鉻(Cr)和/或鈦(Ti)和/或鈷(Co)和/或鐵(Fe)和/或錳(Mn)和/或鉬(Mo)和/或鉭(Ta)和/或釩(V)和/或鎢(W)和/或鈀(Pd)和/或銠(Rh)和/或鉑(Pt)和/或釕(Ru)和/或鋯(Zr)制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求2-5中任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)(100),其中,所述金屬吸氣材料由鉻(Cr)和/或鈦(Ti)和/或鈷(Co)和/或鐵(Fe)和/或錳(Mn)和/或鉬(Mo)和/或鉭(Ta)和/或釩(V)和/或鎢(W)和/或鈀(Pd)和/或銠(Rh)和/或鉑(Pt)和/或釕(Ru)和/或鋯(Zr)制成。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)(100),其中,每個(gè)所述機(jī)械加強(qiáng)部分(116)具有大致直角的平行六面體形狀,并且其中,所述機(jī)械加強(qiáng)部分(116)被定位成大致相互平行。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)(100),其中,所述機(jī)械加強(qiáng)部分(116)在所述第一材料的層(112)的所述表面(114)上形成了網(wǎng)格。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)(100),其中,比率r=h/H介于大約0.6和0.9之間,并且比率R=b/t大于或等于大約0.7,其中:
h:所述第一材料的層(112)的厚度;
H:h和一個(gè)所述機(jī)械加強(qiáng)部分(116)的厚度之和;
b:一個(gè)所述機(jī)械加強(qiáng)部分(116)的寬度;
t:在所述第一材料的層(112)上定位所述機(jī)械加強(qiáng)部分(116)的周期性間距。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)(100),還包括始終經(jīng)過(guò)所述基底(102)和/或所述第一材料的層(112)并且靠近所述腔(110)制造的導(dǎo)電通路(126)。
11.一種微型電子裝置(1000),所述微型電子裝置(1000)包括至少兩個(gè)彼此上下定位的根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu)(100.1,100.2),其中,所述兩個(gè)封裝結(jié)構(gòu)中的第一封裝結(jié)構(gòu)(100.1)的至少一個(gè)導(dǎo)電通路(126)直接地或通過(guò)插入器(1010)被電連接到所述兩個(gè)封裝結(jié)構(gòu)中的第二封裝結(jié)構(gòu)(100.2)的至少一個(gè)導(dǎo)電通路(126)上。
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