[發明專利]高集成度柔性薄膜溫差電池的制作方法

有效

• 申請號: 201410364127.1
• 申請日: 2014-07-28
• 公開（公告）號: CN105322088B
• 公開（公告）日: 2019-01-29
• 發明（設計）人: 張麗麗;閻勇;劉靜榕;郭金娟
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十八研究所
• 主分類號: H01L35/34
• 分類號: H01L35/34
• 代理公司: 天津市鼎和專利商標代理有限公司 12101
• 代理人: 李鳳

1.高集成度柔性薄膜溫差電池的制作方法，其特征在于：包括以下制作步驟：

步驟1：制作光刻掩模板：

分別制作圖形相互對應的冷端導電層微區光刻掩模板、N/P型溫差電單體微區光刻掩模板、冷熱端導電層間絕緣層微區光刻掩模板和熱端導電層微區光刻掩模板；

步驟2：制作冷端導電層及冷端導電層輸出端口

通過冷端導電層微區光刻掩模板，在微米級聚酰亞胺薄膜柔性冷端絕緣基體上光刻出冷端導電層微區圖形；在冷端導電層微區圖形上濺射導電靶材，制出0.1-1μm厚的冷端導電層和與冷端導電層厚度相同的兩個冷端導電層輸出端口；

步驟3：制作N/P型溫差電單體

通過N/P型溫差電單體微區光刻掩模板，在步驟2的每一冷端導電層的一端和一個冷端導電層輸出端口光刻出N型溫差電單體微區微區圖形；在N型溫差電單體微區圖形上濺射N型靶材，形成2-3μm厚的N型溫差電單體；在每一有N型溫差電單體微區的冷端導電層另一端和另一個冷端導電層輸出端口光刻出P型溫差電單體微區微區圖形；在P型溫差電單體微區圖形上濺射P型靶材，形成N型溫差電單體厚度相同的P型溫差電單體；使每一冷端導電層上形成一個冷端P-N對；

步驟4：制作冷熱端導電層間絕緣層

通過冷熱端導電層間絕緣層微區光刻掩模板，在柔性冷端絕緣基體上每一N型溫差電單體和P型溫差電單體之間光刻出冷熱端導電層間絕緣層微區圖形；在冷熱端導電層間絕緣層微區圖形上濺射絕緣靶材，制出2-5μm厚的冷熱端導電層間絕緣層；

步驟5：制作熱端導電層

通過熱端導電層微區光刻掩模板，在步驟4完成后的每一個P-N對中的P型溫差電單體和相鄰一個P-N對中的N型溫差電單體作為熱端P-N對，光刻出熱端導電層微區圖形；在熱端導電層微區上濺射導電靶材，制出2-3μm厚的熱端導電層；

步驟6：封裝

將柔性冷端絕緣基體的加工面覆一層柔性熱面絕緣層，預留出輸出端口的位置后，用膠帶將柔性冷端絕緣基體和柔性熱面絕緣層四邊粘合成一體，完成本發明高集成度柔性薄膜溫差電池的制作過程。

2.根據權利要求1所述高集成度柔性薄膜溫差電池的制作方法，其特征在于：所述柔性冷端絕緣基體和柔性熱面絕緣層均為聚酰亞胺薄膜。

3.根據權利要求1所述高集成度柔性薄膜溫差電池的制作方法，其特征在于：所述步驟4中絕緣靶材為ZnO靶。

4.根據權利要求1所述高集成度柔性薄膜溫差電池的制作方法，其特征在于：所述步驟6中膠帶為0.05-1mm厚的聚酰亞胺膠帶。