[發明專利]熱分流式微波功率放大器

有效

• 申請號: 201410363795.2
• 申請日: 2014-07-28
• 公開（公告）號: CN104104341A
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發明（設計）人: 高懷;孫曉紅;王鋒
• 申請（專利權）人: 蘇州英諾迅科技有限公司
• 主分類號: H03F3/21
• 分類號: H03F3/21
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

1.一種熱分流式微波功率放大器，包括若干并聯設置的功率單元，每個功率單元包括若干晶體管，晶體管包括基極、集電極、及發射極，其特征在于，每個功率單元內晶體管的集電極均通過第一層金屬和第二層金屬互聯，每個功率單元內晶體管的發射極均通過第一層金屬和第二層金屬互聯，相鄰的功率單元中晶體管的集電極通過第一金屬互聯電性連接，相鄰的功率單元中晶體管的發射極通過第二金屬互聯電性連接，所述第一金屬互聯從下向上包括第一層金屬、絕緣介質層、及第二層金屬，第二層金屬分別與相鄰的功率單元中晶體管的集電極相連，所述第二金屬互聯為第一層金屬，第一層金屬分別與相鄰的功率單元中晶體管的發射極相連，所述第一層金屬分別與降熱裝置相連通。

2.根據權利要求1所述的熱分流式微波功率放大器，其特征在于，所述第一金屬互聯中的第一層金屬包括若干平行設置的第一金屬條，第一金屬互聯中的第二層金屬包括若干平行設置的第二金屬條，第一金屬條和第二金屬條呈網狀交叉分布。

3.根據權利要求2所述的熱分流式微波功率放大器，其特征在于，所述第一金屬條和第二金屬條呈網狀正交分布，即第一金屬條和第二金屬條垂直設置。

4.根據權利要求1所述的熱分流式微波功率放大器，其特征在于，所述第一金屬互聯下方設置有若干第一背孔，所述第一金屬互聯通過第一背孔與降熱裝置相連通。

5.根據權利要求4所述的熱分流式微波功率放大器，其特征在于，所述第一背孔呈圓臺狀設置，且第一背孔的橫截面積從上向下逐漸增大。

6.根據權利要求1所述的熱分流式微波功率放大器，其特征在于，所述第二金屬互聯下方設置有若干第二背孔，所述第二金屬互聯通過第二背孔與降熱裝置相連通。

7.根據權利要求6所述的熱分流式微波功率放大器，其特征在于，所述第二背孔呈圓臺狀設置，且第二背孔的橫截面積從上向下逐漸增大。

8.根據權利要求1所述的熱分流式微波功率放大器，其特征在于，所述第一層金屬和第二層金屬的材質相同。

9.根據權利要求1所述的熱分流式微波功率放大器，其特征在于，所述絕緣介質層的材質為Si₃N₄。

10.根據權利要求1所述的熱分流式微波功率放大器，其特征在于，所述微波功率放大器為InGaP/GaAs?HBT功率器件、GaN功率器件、或LDMOS功率器件。