[發(fā)明專(zhuān)利]熱壓鍵合過(guò)程中固定多個(gè)半導(dǎo)體器件的設(shè)備和鍵合方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410362920.8 | 申請(qǐng)日: | 2014-07-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104347469B | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-07-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳文忠;樊俊豪 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 先進(jìn)科技新加坡有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/683 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/683;H01L21/603 |
| 代理公司: | 北京申翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11214 | 代理人: | 周春發(fā) |
| 地址: | 新加坡2*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熱壓 過(guò)程 固定 半導(dǎo)體器件 設(shè)備 方法 | ||
1.一種用于在熱壓鍵合過(guò)程中固定多個(gè)半導(dǎo)體器件的設(shè)備,該設(shè)備包含有:
主體;
多個(gè)支撐表面,其位于主體的第一側(cè)面上,每個(gè)支撐表面被配置來(lái)在熱壓鍵合過(guò)程中固定至少一個(gè)半導(dǎo)體器件;
多個(gè)內(nèi)部管道,其位于主體內(nèi),每個(gè)內(nèi)部管道從位于主體的第一側(cè)面的各自一個(gè)支撐表面的開(kāi)口延伸至主體的第二側(cè)面的開(kāi)口;
其中,主體的第二側(cè)面的每個(gè)開(kāi)口被配置來(lái)連接至各自的第一氣動(dòng)通路上,以與之進(jìn)行流體互通,每個(gè)第一氣動(dòng)通路具有單獨(dú)可控的氣動(dòng)吸附力,以致于位于主體的第一側(cè)面的支撐表面的開(kāi)口被操作來(lái)抵靠于位于主體的第一側(cè)面的支撐表面有選擇地固定一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件,或者從那里將一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件釋放;以及
一個(gè)閉合的夾體通道被設(shè)置環(huán)繞于主體的第二側(cè)面的表面,其可操作地與在主體上形成真空通道的另一氣動(dòng)通道保持流體互通而將設(shè)備抵靠于加熱器固定。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,該主體的第二側(cè)面包含有多個(gè)第一氣動(dòng)通道,該第一氣動(dòng)通道被操作來(lái)和各自部分的第一氣動(dòng)通路進(jìn)行流體互通。
3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中,主體的第二側(cè)面的開(kāi)口中的每一個(gè)設(shè)置在各自部分的第一氣動(dòng)通道的端部。
4.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中,每個(gè)第一氣動(dòng)通道包含有曲彎。
5.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,該主體的第二側(cè)面包含有夾體通道,其被操作來(lái)和具有獨(dú)立可控的氣動(dòng)吸附力的又一個(gè)氣動(dòng)通路進(jìn)行流體互通。
6.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備,其中,該夾體通道沿著主體的第二側(cè)面的邊緣設(shè)置。
7.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,位于主體的第一側(cè)面的支撐表面設(shè)置在用于固定不同半導(dǎo)體器件的不同高度處。
8.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,位于主體的第一側(cè)面的支撐表面包含有用于固定不同半導(dǎo)體器件的不同表面區(qū)域。
9.一種用于在熱壓鍵合過(guò)程中固定半導(dǎo)體器件的裝置,該裝置包含有:
加熱器;以及
如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其和加熱器相耦接;
其中,該加熱器被操作來(lái)加熱如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,以藉此加熱正被固定的半導(dǎo)體器件。
10.如權(quán)利要求9所述的裝置,其中,該加熱器包含有多個(gè)通孔,該通孔被操作來(lái)和位于如權(quán)利要求1所述的設(shè)備的主體內(nèi)的各自部分的內(nèi)部管道進(jìn)行流體互通。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置,其中,如權(quán)利要求1所述的主體的第二側(cè)面還包含有多個(gè)第一氣動(dòng)通道,該第一氣動(dòng)通道被操作來(lái)和各自部分的第一氣動(dòng)通路進(jìn)行流體互通,該加熱器的每個(gè)通孔和位于如權(quán)利要求1所述設(shè)備的主體的第二側(cè)面的相應(yīng)開(kāi)口均設(shè)置在位于如權(quán)利要求1所述的主體的第二側(cè)面的各自第一氣動(dòng)通道之一的相對(duì)端部。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置,其中,該加熱器還包含有另一個(gè)通孔,該通孔被操作來(lái)和具有獨(dú)立可控的氣動(dòng)吸附力的又一個(gè)氣動(dòng)通路進(jìn)行流體互通,以固定如權(quán)利要求1所述的設(shè)備的主體,而便于如權(quán)利要求1所述設(shè)備被操作來(lái)以可分離的方式耦接于該加熱器上。
13.一種通過(guò)熱壓鍵合將多個(gè)半導(dǎo)體器件鍵合至襯底上的方法,該方法包含有以下步驟:
使用如權(quán)利要求1所述的設(shè)備將多個(gè)半導(dǎo)體器件從半導(dǎo)體器件供應(yīng)源處傳送至襯底;
通過(guò)熱壓鍵合將半導(dǎo)體器件鍵合至襯底上。
14.如權(quán)利要求13所述的方法,其中,該將半導(dǎo)體器件傳送的步驟包含有:將半導(dǎo)體器件同時(shí)從晶圓處傳送至襯底。
15.如權(quán)利要求14所述的方法,其中,該將半導(dǎo)體器件鍵合至襯底上的步驟包含有以下步驟:
使用成像設(shè)備抵靠于襯底單個(gè)地對(duì)齊定位由如權(quán)利要求1所述的設(shè)備所固定的半導(dǎo)體器件;
通過(guò)熱壓鍵合將半導(dǎo)體器件鍵合至襯底上。
16.如權(quán)利要求15所述的方法,其中,對(duì)齊定位由如權(quán)利要求1所述的設(shè)備所固定的第一部分半導(dǎo)體器件的步驟之后,該方法還包含有以下步驟:在沒(méi)有完成熱壓鍵合的情形下,將第一部分半導(dǎo)體器件放置于襯底上。
17.如權(quán)利要求16所述的方法,在將第一部分半導(dǎo)體器件放置于襯底上的步驟之后,該方法還包含有以下步驟:相對(duì)于成像設(shè)備重新定位如權(quán)利要求1所述的設(shè)備。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





