[發明專利]一種FinFET結構的制備方法

在審

• 申請號: 201410359358.3
• 申請日: 2014-07-25
• 公開（公告）號: CN104157573A
• 公開（公告）日: 2014-11-19
• 發明（設計）人: 高晶;孫鵬;王晶;冉春明
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/306
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種FinFET結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一半導體襯底；

于所述半導體襯底上按照從下至上的順序依次制備第一氧化物層、阻擋層和犧牲層；

刻蝕部分所述犧牲層，以于所述阻擋層之上形成犧牲柵極；

繼續于所述犧牲柵極的側壁上制備具有預定厚度的側墻；

以所述側墻為掩膜依次刻蝕所述阻擋層、所述第一氧化物層并停止在所述半導體襯底中，以形成鰭狀結構；

移除所述側墻后，繼續沉積絕緣層，并對所述絕緣層進行平坦化工藝停止在剩余的所述阻擋層的上表面；

其中，根據所述鰭狀結構的厚度設定所述預定厚度的值。

2.如權利要求書1所述的FinFET結構的制備方法，其特征在于，所述方法還包括：

于所述半導體襯底的上表面按照從下至上的順序依次形成所述第一氧化物層、所述阻擋層、所述犧牲層、一無定型碳層以及一抗反射涂層；

于所述抗反射涂層之上形成具有柵極圖形的光阻，并以所述光阻為掩膜依次部分刻蝕所述抗反射涂層、無定型碳層以及所述犧牲層；

按照從上至下的順序依次去除所述光阻、剩余的抗反射涂層和剩余的無定型碳層后，所述阻擋層之上形成犧牲柵極。

3.如權利要求書1所述的FinFET結構的制備方法，其特征在于，所述阻擋層的材質為氮化硅。

4.如權利要求書1所述的FinFET結構的制備方法，其特征在于，所述犧牲層的材質為無定型硅。

5.如權利要求書1所述的FinFET結構的制備方法，其特征在于，所述側墻和所述絕緣層的材質均為氧化物。

6.如權利要求書5所述的FinFET結構的制備方法，其特征在于，于所述犧牲柵的側壁上制備具有預定厚度的側墻的步驟具體為：

沉積第二氧化物層覆蓋所述阻擋層暴露的表面以及剩余的所述犧牲層的表面；

采用干法刻蝕工藝去除多余的所述第二氧化物層后，剩余的所述第二氧化物層形成覆蓋所述犧牲柵極側壁的所述具有預定厚度的側墻。

7.如權利要求書1所述的FinFET結構的制備方法，其特征在于，所述半導體襯底為P型半導體襯底。

8.如權利要求書1所述的FinFET結構的制備方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝刻蝕部分所述犧牲層，以于所述阻擋層之上形成所述犧牲柵極。

9.如權利要求書1所述的FinFET結構的制備方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝以所述側墻為掩膜按照從上至下的順序依次刻蝕所述阻擋層、第一氧化物層至所述半導體襯底中，以形成所述鰭狀結構。

10.如權利要求書1所述的FinFET結構的制備方法，其特征在于，所述半導體襯底包括一硅層，于所述硅層中形成所述鰭狀結構。