[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體芯片及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410357060.9
• 申請(qǐng)日: 2014-07-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105336712A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-02-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石金成;潘光燃;高振杰;王琨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/29
• 分類號(hào): H01L23/29;H01L21/56
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種半導(dǎo)體芯片，包括半導(dǎo)體襯底、器件層和頂層金屬層，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片還包括依次位于所述頂層金屬層上的第一鈍化層、用作平坦層的旋涂硅玻璃SOG層和第二鈍化層，且所述頂層金屬層的上方區(qū)域不覆蓋所述旋涂硅玻璃SOG。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，所述第一鈍化層的材料為二氧化硅SiO2。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，所述SiO2為正硅酸乙脂二氧化硅TEOS，或無(wú)摻雜硅玻璃USG，或磷硅玻璃PSG，或富硅氧化物SRO。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，所述第二鈍化層的材料與所述第一鈍化層的材料相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片還包括位于第二鈍化層上的第三鈍化層，所述第二鈍化層和所述第三鈍化層的材料不同。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，所述第三鈍化層的材料為氮化硅SiN。

7.一種半導(dǎo)體芯片的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在半導(dǎo)體襯底上制作器件層，在器件層上制作頂層金屬層；

在所述頂層金屬層上沉積第一鈍化層，在第一鈍化層上涂覆用作平坦層的旋涂硅玻璃SOG，所述旋涂硅玻璃SOG不覆蓋所述頂層金屬層；

在所述旋涂硅玻璃SOG上沉積第二鈍化層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述第二鈍化層上沉積第三鈍化層，所述第二鈍化層和所述第三鈍化層的材料不同。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述在第一鈍化層上涂覆旋涂硅玻璃SOG后，所述方法還包括：用爐管對(duì)涂覆的旋涂硅玻璃SOG進(jìn)行烘干，爐管溫度為350℃到450℃。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，對(duì)涂覆的旋涂硅玻璃SOG進(jìn)行烘干的過(guò)程中，爐管內(nèi)通入氮?dú)釴2。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述旋涂硅玻璃SOG不覆蓋所述頂層金屬層，包括：

通過(guò)各向異性刻蝕的方法對(duì)烘干后的旋涂硅玻璃SOG進(jìn)行刻蝕，去除頂層金屬層上方的旋涂硅玻璃SOG。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述各向異性刻蝕為等離子體干法刻蝕。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述等離子體干法刻蝕過(guò)程中通入的刻蝕氣體為含氟F元素的氣體。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，等離子體干法刻蝕后所述方法還包括：對(duì)旋涂硅玻璃SOG進(jìn)行高能量離子注入。