[發(fā)明專利]一種制備非晶二氧化硅納米管的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410356485.8 | 申請日： | 2014-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN104108719A | 公開（公告）日： | 2014-10-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 武立立;張喜田;孫道彬;啜慧心 | 申請（專利權(quán)）人： | 黑龍江科技大學(xué) |
| 主分類號： | C01B33/12 | 分類號： | C01B33/12;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 150027 黑龍江*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 制備 二氧化硅 納米 方法 | ||
1.一種制備非晶二氧化硅納米管的方法，其特征是：它由以下步驟實(shí)現(xiàn)：
步驟一、將單晶硅片襯底清洗干凈并烘干，利用離子濺射儀在硅片表面濺射一層厚度為2nm～6nm的金膜作為催化劑，為納米材料的生長提供成核點(diǎn)；
步驟二、將承載硫化鋅粉末和硅襯底的剛玉舟放到水平管式爐中，使硫化鋅位于水平管式爐的高溫區(qū)中心，硅襯底處于硫化鋅下游10cm～30cm的位置，密封管式爐，通入高純惰性氣體作為載氣，沖洗掉生長室內(nèi)的殘余空氣；
步驟三、將惰性氣體流速控制在30sccm-300sccm，生長室內(nèi)壓強(qiáng)保持在80Pa～1000Pa，使管式爐升溫至合成溫度1100℃～1200℃，并保持恒溫0.2小時(shí)～1小時(shí)，反應(yīng)結(jié)束后使管式爐自然冷卻至室溫，取出合成產(chǎn)物即為本發(fā)明的二氧化硅納米管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備非晶二氧化硅納米管的方法，其特征在于步驟一中金膜的厚度為3nm～5nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備非晶二氧化硅納米管的方法，其特征在于步驟一中金膜的厚度為4nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備非晶二氧化硅納米管的方法，其特征在于步驟二硅襯底處于硫化鋅下游15cm～25cm的位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備非晶二氧化硅納米管的方法，其特征在于步驟二硅襯底處于硫化鋅下游20cm的位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備非晶二氧化硅納米管的方法，其特征在于步驟三中將惰性氣體流速控制在50sccm～260sccm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備非晶二氧化硅納米管的方法，其特征在于步驟三中將惰性氣體流速控制在100sccm～150sccm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備非晶二氧化硅納米管的方法，其特征在于步驟三中生長室內(nèi)壓強(qiáng)保持在200Pa～800Pa。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備非晶二氧化硅納米管的方法，其特征在于步驟三中生長室內(nèi)壓強(qiáng)保持在300Pa～600Pa。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備非晶二氧化硅納米管的方法，其特征在于步驟三中生長室內(nèi)壓強(qiáng)保持在400Pa～500Pa。
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