[發(fā)明專利]用于集成電路的檢測(cè)電路和方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410353856.7
• 申請(qǐng)日: 2014-07-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105301483B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳先敏;楊家奇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/3181
• 分類號(hào): G01R31/3181
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 李志剛;吳貴明

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于集成電路的檢測(cè)電路和方法。其中，該用于集成電路的檢測(cè)電路包括：基準(zhǔn)電流支路，用于提供基準(zhǔn)電流；熔燒電流支路，連接有熔絲，用于提供熔斷熔絲的熔斷電流；比較器，第一輸入端和第二輸入端分別連接于基準(zhǔn)電流支路和熔燒電流支路，用于比較基準(zhǔn)電流支路的電流值與熔燒電流支路的電流值的大小；以及邏輯電路，與比較器的輸出端相連接，用于根據(jù)比較結(jié)果判斷是否將熔燒電流支路的電流值作為熔斷電流。通過(guò)本發(fā)明，解決了現(xiàn)有技術(shù)集成電路中熔斷電流不準(zhǔn)確的問(wèn)題，進(jìn)而達(dá)到了提高集成電路中熔斷電流的準(zhǔn)確性效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，具體而言，涉及一種用于集成電路的檢測(cè)電路和方法。

背景技術(shù)

隨著集成電路中熔絲的理論與技術(shù)逐漸成熟，熔絲的應(yīng)用范圍迅速擴(kuò)大。其中熔絲單元的設(shè)計(jì)從原先的斷裂模式的設(shè)計(jì)理念逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)楫?dāng)下普遍應(yīng)用的電子遷移模式，通過(guò)電子遷移模式能夠顯著提高熔絲單元的穩(wěn)定性和可靠性，而對(duì)于電子遷移模式的熔絲單元設(shè)計(jì)，其熔斷電流的穩(wěn)定性和精確度成為設(shè)計(jì)的關(guān)鍵，熔斷電流對(duì)熔絲編程的可靠性至關(guān)重要。

現(xiàn)有技術(shù)中，一般通過(guò)測(cè)量或讀取熔燒之后的熔絲的阻抗/邏輯來(lái)判斷熔絲是否正確編程，然后再利用修復(fù)線路對(duì)其進(jìn)行修復(fù)以間接的提高熔絲整體的良率。

但是，現(xiàn)有的方法在進(jìn)行熔燒之前無(wú)法識(shí)別出編程電流的非理想性帶來(lái)的可靠性風(fēng)險(xiǎn)，例如，熔斷電流的不準(zhǔn)確導(dǎo)致編程質(zhì)量差，在高溫條件下容易造成熔燒數(shù)據(jù)丟失，導(dǎo)致編程的不可靠性。

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)集成電路中熔斷電流不準(zhǔn)確的問(wèn)題，目前尚未提出有效的解決方案。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種用于集成電路的檢測(cè)電路和方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)集成電路中熔斷電流不準(zhǔn)確的問(wèn)題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于集成電路的檢測(cè)電路。根據(jù)本發(fā)明的檢測(cè)電路包括：基準(zhǔn)電流支路，用于提供基準(zhǔn)電流；熔燒電流支路，連接有熔絲，用于提供熔斷熔絲的熔斷電流；比較器，第一輸入端和第二輸入端分別連接于基準(zhǔn)電流支路和熔燒電流支路，用于比較基準(zhǔn)電流支路的電流值與熔燒電流支路的電流值的大小；以及邏輯電路，與比較器的輸出端相連接，用于根據(jù)比較結(jié)果判斷是否將熔燒電流支路的電流值作為熔斷電流。

進(jìn)一步地，檢測(cè)電路還包括：計(jì)數(shù)器，計(jì)數(shù)器連接在比較器和邏輯電路之間，用于記錄熔燒電流支路的電流值處于預(yù)設(shè)電流值范圍內(nèi)的時(shí)間。

進(jìn)一步地，基準(zhǔn)電流支路包括：基準(zhǔn)電流源，用于提供基準(zhǔn)電流；以及第一NMOS開(kāi)關(guān)，第一NMOS開(kāi)關(guān)的第一端與基準(zhǔn)電流源相連接并且與比較器的第一輸入端相連接，第一NMOS開(kāi)關(guān)的第二端接地，第一NMOS開(kāi)關(guān)的柵極接VDD。

進(jìn)一步地，熔燒電流支路包括：PMOS，PMOS的柵極接地；熔絲，熔絲的第一端與PMOS的第一端相連接，熔絲的第二端與比較器的第二輸入端相連接；以及第二NMOS開(kāi)關(guān)，第二NMOS開(kāi)關(guān)的第一端與熔絲的第二端相連接，NMOS開(kāi)關(guān)的第二端接地，NMOS開(kāi)關(guān)的柵極接VDD，其中，基準(zhǔn)電流支路包括第一NMOS開(kāi)關(guān)，第一NMOS開(kāi)關(guān)和第二NMOS開(kāi)關(guān)相同。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于集成電路的檢測(cè)方法。根據(jù)本發(fā)明的檢測(cè)方法包括：獲取基準(zhǔn)電流的電流值；獲取熔斷熔絲的熔燒電流的電流值；比較熔燒電流的電流值是否大于基準(zhǔn)電流的電流值，得到比較結(jié)果；如果比較出熔燒電流的電流值大于基準(zhǔn)電流的電流值，則利用熔燒電流的電流值作為對(duì)熔絲編程的熔斷電流；以及如果比較出熔燒電流的電流值小于基準(zhǔn)電流的電流值，則獲取新的熔燒電流的電流值，并判斷新的熔燒電流的電流值是否大于基準(zhǔn)電流的電流值。

進(jìn)一步地，通過(guò)以下方式獲取基準(zhǔn)電流的電流值包括：獲取預(yù)設(shè)熔燒電流的電流值；以及將預(yù)設(shè)熔燒電流的電流值的第一百分比作為基準(zhǔn)電流的電流值。