[發明專利]薄膜晶體管、其制造方法及制造平板顯示器背板的方法

在審

• 申請號: 201410353071.X
• 申請日: 2014-07-23
• 公開（公告）號: CN104347498A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 薛英國;金泰雄;張震;克里斯托夫·艾維斯
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司;慶熙大學校產學協力團
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L29/786
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;陰亮

1.制造薄膜晶體管(TFT)的方法，所述方法包括：

在襯底上形成柵極；

在所述襯底上形成絕緣層以覆蓋所述柵極；

對所述絕緣層的上表面進行等離子處理，所述等離子處理使用鹵素氣體；

在所述絕緣層上形成氧化物半導體層并定位為與所述柵極對應；以及

在所述絕緣層上和部分所述氧化物半導體層之上形成源極和漏極。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述鹵素氣體包括氮氟化物(NF₃)。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述絕緣層包括高介電氧化物膜。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述絕緣層包括鉿氧化物(HfO_x)。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述形成絕緣層包括通過溶膠-凝膠法形成第一絕緣層。

6.如權利要求5所述的方法，其中所述形成絕緣層還包括使用包含溶解于包括乙腈和乙二醇至少之一的溶劑中的鉿氯化物(HfCl₄)的溶液進行所述溶膠-凝膠法。

7.如權利要求1所述的方法，其還包括退火所述絕緣層。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述氧化物半導體層包括無定形金屬氧化物。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述氧化物半導體層包括鋅錫氧化物(ZTO)。

10.薄膜晶體管(TFT)，包括：

襯底；

布置在所述襯底上的柵極；

布置在所述襯底上以覆蓋所述柵極的絕緣層，所述絕緣層具有使用鹵素氣體進行等離子處理的上表面；

布置在所述絕緣層上并定位為與所述柵極對應的氧化物半導體層；以及

布置在所述絕緣層上和部分所述氧化物半導體層之上的源極和漏極。