[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410352981.6
• 申請日: 2014-07-23
• 公開（公告）號: CN104347549B
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發明（設計）人: 今關洋輔;黑田壯司
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/31;H01L21/50
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;王娟娟

1.一種半導體器件，其特征在于，具有：

布線基板，所述布線基板具有芯片裝載面、形成于所述芯片裝載面上的多個引腳、以及位于所述芯片裝載面相反側的安裝面；

第1半導體芯片，所述第1半導體芯片具有第1主面、形成于所述第1主面上的多個第1電極、以及位于所述第1主面相反側的第1背面，所述第1半導體芯片以所述第1背面面向所述布線基板的所述芯片裝載面的方式搭載在所述芯片裝載面上；以及

多條引線，所述多條引線分別具有球形部以及接合部，并分別與所述多個引腳連接，

所述多條引線具有第1引線以及第2引線，所述第1引線有多條，

在俯視觀察時，所述多個引腳沿著所述第1半導體芯片的所述第1主面的邊連續地配置，

所述多個引腳具有第1引腳以及第2引腳，所述第1引腳具有多個，多條所述第1引線經由所述接合部分別與多個所述第1引腳連接，所述第2引線經由所述球形部與所述第2引腳連接，

在俯視觀察時，所述第2引腳位于與多個所述第1引腳的配置列上不同的位置上，

在俯視觀察時，所述第2引腳的寬度比多個所述第1引腳各自的寬度大，

所述第1半導體芯片具有沿著所述第1主面的第1邊配置的所述多個第1電極及多個第2電極，

多條所述第1引線的所述球形部分別與所述多個第1電極連接，

所述第2引線的所述接合部與所述第2電極連接，

所述布線基板的所述芯片裝載面被絕緣膜覆蓋，多個所述第1引腳及所述第2引腳在形成于所述絕緣膜上的一個開口部中從所述絕緣膜露出，

所述開口部中配置有第1布線，且流經所述第1布線的電流與流經所述第2引線的電流不同，

在俯視觀察時，所述第2引線在與所述開口部在厚度方向重合的位置以跨過所述第1布線的方式設置。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

在俯視觀察時，所述第2引腳的延伸方向上的長度比多個所述第1引腳各自的延伸方向上的長度小。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

在俯視觀察時，所述第2引線的所述球形部的寬度比所述第1引線的所述接合部的寬度大。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

在所述第1半導體芯片的所述第1主面上搭載有第2半導體芯片，所述第2半導體芯片具有面向所述第1半導體芯片的所述第1主面的第2背面、位于所述第2背面相反側的第2主面、以及形成于所述第2主面上的第2電極，

多條所述第1引線的所述球形部分別與所述第1半導體芯片的所述多個第1電極連接，

所述第2引線的所述接合部與所述第2半導體芯片的所述第2電極連接。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述第2引腳的俯視形狀為圓形。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述布線基板的所述芯片裝載面被絕緣膜覆蓋，多個所述第1引腳及所述第2引腳在形成于所述絕緣膜上的一個開口部中從所述絕緣膜露出。

7.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述第1半導體芯片具有沿著所述第1主面的第1邊配置的所述多個第1電極及多個第2電極，

所述多個第2電極與所述第1邊的間隔距離比所述多個第1電極的每一個與所述第1邊的間隔距離大，

多條所述第1引線的所述球形部分別與所述多個第1電極連接，

所述第2引線的所述接合部與所述第2電極連接。

8.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述第1半導體芯片具有沿著所述第1主面的第1邊配置的所述多個第1電極及多個第2電極，

多條所述第1引線的所述球形部分別與所述多個第1電極連接，

所述第2引線的所述接合部與所述第2電極連接，

所述第2引線以跨過多條所述第1引線中的一部分第1引線的方式設置。