[發(fā)明專利]多晶硅引晶裝置及其引晶方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410350017.X | 申請日： | 2014-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN104152987A | 公開（公告）日： | 2014-11-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周社柱;王鋒;侯煒強(qiáng);張瑾;熊鷹 | 申請（專利權(quán)）人： | 山西中電科新能源技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | C30B28/06 | 分類號： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 太原華弈知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 14108 | 代理人： | 李毅 |
| 地址： | 030032 山西*** | 國省代碼： | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多晶 硅引晶 裝置 及其 方法 | ||
1.一種多晶硅引晶裝置，包括坩堝（5）、塊狀原生多晶（3）和碎硅片（2），在坩堝（5）的內(nèi)表面上均勻地設(shè)置有氮化硅噴涂層（4），其特征在于，在坩堝（5）的堝內(nèi)堝底面上設(shè)置的氮化硅噴涂層（4）上活動均布有氮化硅球狀顆粒（1），在氮化硅球狀顆粒（1）上設(shè)置有碎硅片層（2），在碎硅片層（2）上設(shè)置有塊狀原生多晶（3）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅引晶裝置，其特征在于，氮化硅球狀顆粒（1）的直徑為0.5-1.5毫米。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種多晶硅引晶裝置，其特征在于，氮化硅球狀顆粒（1）的直徑為0.6毫米或0.8毫米或1.0毫米或1.2毫米或1.5毫米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的一種多晶硅引晶裝置，其特征在于，碎硅片層（2）的厚度為10毫米。
5.一種多晶硅引晶方法，包括以下步驟：
第一步、在坩堝（5）的堝內(nèi)側(cè)面和堝內(nèi)堝底面上均勻地噴涂氮化硅噴涂層（4）；
第二步、當(dāng)坩堝（5）內(nèi)的氮化硅噴涂層（4）干燥后，將一些碎硅片作為鋪底材料均勻地鋪設(shè)到坩堝（5）的堝內(nèi)底面上；
第三步、將氮化硅球狀顆粒（1）均布到堝內(nèi)底面上的作為鋪底材料的碎硅片中，并使氮化硅球狀顆粒（1）與坩堝（5）的堝內(nèi)堝底面上噴涂的氮化硅噴涂層（4）接觸；
第四步、在作為鋪底材料的碎硅片上，緩慢地分批少量地由上豎直往下地撒入更多的碎硅片，直到碎硅片層（2）的厚度達(dá)到10毫米后為止；
第五步、在第四步完成的碎硅片層（2）上裝入塊狀原生多晶（3）；
第六步、將裝好料的坩堝放入鑄錠爐中，進(jìn)行加熱、引晶、長晶的生產(chǎn)工藝過程。
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