[發(fā)明專利]像素電路及其驅(qū)動方法和顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410347992.5
• 申請日: 2014-07-21
• 公開（公告）號: CN104112427B
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊盛際
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G09G3/3208
• 分類號: G09G3/3208
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11002
• 代理人: 李相雨

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素電路及其驅(qū)動方法和顯示裝置。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)是當(dāng)今平板顯示器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一，與液晶顯示器相比，OLED具有低能耗、生產(chǎn)成本低、自發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)。目前，在手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)等顯示領(lǐng)域OLED已經(jīng)開始取代傳統(tǒng)的液晶(LCD)顯示屏。像素驅(qū)動電路設(shè)計(jì)是OLED顯示器核心技術(shù)內(nèi)容，具有重要的研究意義。

與TFT(薄膜場效應(yīng)晶體管)-LCD利用穩(wěn)定的電壓控制亮度不同，OLED屬于電流驅(qū)動，需要穩(wěn)定的電流來控制發(fā)光。

由于工藝制程和器件老化等原因，在原始的2T1C驅(qū)動電路(包括兩個(gè)薄膜場效應(yīng)晶體管和一個(gè)電容)中，各像素點(diǎn)的驅(qū)動TFT的閾值電壓存在不均勻性，這樣就導(dǎo)致了流過每個(gè)像素點(diǎn)OLED的電流發(fā)生變化使得顯示亮度不均，從而影響整個(gè)圖像的顯示效果。

并且現(xiàn)有技術(shù)中，一個(gè)像素電路一般對應(yīng)于一個(gè)像素，每個(gè)像素電路都至少包含一條數(shù)據(jù)電壓線、一條工作電壓線和多條掃描信號線，這樣就導(dǎo)致相應(yīng)的制作工藝較為復(fù)雜，并且不利于縮小像素間距。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是解決顯示裝置顯示亮度不均的問題，并縮減顯示裝置中用于像素電路的信號線路數(shù)目，降低集成電路成本，同時(shí)提高顯示裝置的像素密度。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種像素電路，包括數(shù)據(jù)電壓寫模塊和兩個(gè)驅(qū)動模塊、兩個(gè)發(fā)光模塊；其中，數(shù)據(jù)電壓寫模塊與數(shù)據(jù)電壓線、寫控制線以及兩個(gè)驅(qū)動模塊相連，用于在同一幀內(nèi)，根據(jù)寫控制線的輸入先將數(shù)據(jù)電壓線中的第一數(shù)據(jù)電壓寫入第一驅(qū)動模塊，再將數(shù)據(jù)電壓線中的第二數(shù)據(jù)電壓寫入第二驅(qū)動模塊；第一驅(qū)動模塊與第一發(fā)光模塊相連，第二驅(qū)動模塊與第二發(fā)光模塊相連；且兩個(gè)驅(qū)動模塊均與工作電壓線、驅(qū)動控制線相連，用于在驅(qū)動控制線的控制下驅(qū)動對應(yīng)的發(fā)光模塊發(fā)光。

優(yōu)選的，所述數(shù)據(jù)電壓寫模塊包括第一子數(shù)據(jù)電壓寫模塊和第二子數(shù)據(jù)電壓寫模塊，所述第一子數(shù)據(jù)電壓寫模塊與數(shù)據(jù)電壓線、第一寫控制線以及第一驅(qū)動模塊相連，所述第二子數(shù)據(jù)電壓寫模塊與數(shù)據(jù)電壓線、第二寫控制線以及第二驅(qū)動模塊相連。

優(yōu)選的，每一個(gè)子數(shù)據(jù)電壓寫模塊包括一個(gè)寫晶體管，所述寫晶體管的柵極連接到對應(yīng)的寫控制線，源極連接數(shù)據(jù)電壓線，漏極連接到對應(yīng)的驅(qū)動模塊。

優(yōu)選的，每一個(gè)驅(qū)動模塊包括三個(gè)驅(qū)動晶體管和一個(gè)存儲電容，其中，第一驅(qū)動晶體管的源極連接對應(yīng)的寫晶體管的漏極，柵極和漏極均與第二驅(qū)動晶體管的柵極相連；第二驅(qū)動晶體管的漏極與第三驅(qū)動晶體管的源極相連，源極與數(shù)據(jù)電壓線相連；第三驅(qū)動晶體管的柵極與驅(qū)動控制線相連，漏極與發(fā)光模塊相連；所述存儲電容的第一端連接所述第二驅(qū)動晶體管的柵極，第二端連接所述第二驅(qū)動晶體管的源極。

優(yōu)選的，還包括第一重置晶體管和第二重置晶體管，第一重置晶體管的柵極連接重置控制線，源極連接第一驅(qū)動模塊的存儲電容的第一端，漏極連接重置低電平線；第二重置晶體管的柵極連接重置控制線，源極連接第二驅(qū)動模塊的存儲電容的第一端，漏極連接重置低電平線。

優(yōu)選的，每一個(gè)驅(qū)動模塊包括四個(gè)驅(qū)動晶體管和一個(gè)存儲電容；其中，第一驅(qū)動晶體管的柵極連接驅(qū)動控制線，源極連接工作電壓線，漏極連接第二驅(qū)動晶體管的源極；第二驅(qū)動晶體管的柵極連接存儲電容的第一端，漏極連接第三驅(qū)動晶體管的源極；第三驅(qū)動晶體管柵極連接驅(qū)動控制線，漏極連接發(fā)光模塊；第四驅(qū)動晶體管的源極連接第二驅(qū)動晶體管的漏極，漏極連接存儲電容的第一端；存儲電容的第二端接地；

第一驅(qū)動模塊的第四驅(qū)動晶體管柵極連接第一寫控制線，第二驅(qū)動模塊的第四驅(qū)動晶體管柵極連接第二寫控制線。

優(yōu)選的，還包括第一重置晶體管和第二重置晶體管，兩個(gè)重置晶體管的柵極均連接重置控制線；第一重置晶體管的源極連接第一驅(qū)動模塊的存儲電容的第一端，漏極連接第一驅(qū)動模塊的存儲電容的第二端；第二重置晶體管的源極連接第二驅(qū)動模塊的存儲電容的第一端，漏極連接第二驅(qū)動模塊的存儲電容的第二端。。

優(yōu)選的，還包括一個(gè)電容式觸控檢測模塊和一個(gè)光感式觸控檢測模塊，所述電容式觸控檢測模塊包括第一觸控晶體管、第二觸控晶體管、第三觸控晶體管和第一感測電容，第一觸控晶體管的柵極連接重置控制線，源極連接數(shù)據(jù)電壓線，漏極連接第一感測電容的第一端；第二觸控晶體管的柵極連接第一感測電容的第一端，源極連接第一感測電容的第二端，漏極連接第三觸控晶體管的源極；第三觸控晶體管的柵極連接第一寫控制線，漏極連接觸控信號讀取線；第一感測電容的第二端還連接檢測驅(qū)動電壓線；