[發明專利]一種具有電子阻擋層的GaSb基中紅外激光器的外延結構

在審

• 申請號: 201410346740.0
• 申請日: 2014-07-21
• 公開（公告）號: CN105281201A
• 公開（公告）日: 2016-01-27
• 發明（設計）人: 安寧;劉國軍;劉超;李占國;劉鵬程;何斌太;常量;馬曉輝;席文星
• 申請（專利權）人: 長春理工大學
• 主分類號: H01S5/343
• 分類號: H01S5/343
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有電子阻擋層的GaSb基中紅外激光器的外延結構，包括GaSb襯底(1)、緩沖層(2)、n型限制層(3)、下波導層(4)、有源區(5)、上波導層(6)、電子阻擋層(7)和p型限制層(8)，其特征在于所述p型波導層和p型限制層之間存在電子阻擋層。

2.一種具有電子阻擋層的GaSb基中紅外激光器的外延結構，包括GaSb襯底(1)、緩沖層(2)、n型限制層(3)、下波導層(4)、有源區(5)、上波導層(6)、電子阻擋層(7)和p型限制層(8)，其特征在于電子阻擋層導帶電勢高于p型限制層導帶電勢。

3.根據專利要求1或2所述的一種具有電子阻擋層的GaSb基中紅外激光器的外延結構，其特征在于緩沖層(2)是和襯底材料晶格常數相等或接近的材料，如GaSb、AlSb等。

4.根據專利要求1或2所述的一種具有電子阻擋層的GaSb基中紅外激光器的外延結構，其特征在于n型限制層(3)、下波導層(4)、上波導層(6)、電子阻擋層(7)、p型限制層(8)是可以和襯底匹配的材料,如AlGaAsSb、AlInGaAsSb等。

5.根據專利要求1或2所述的一種具有電子阻擋層的GaSb基中紅外激光器的外延結構，其特征在于有源區(5)是InGaAsSb/AlGaAsSbI型量子阱、GaAsSb/GaAsII型量子阱或InAs/(In)GaSb破隙型量子阱。

6.根據專利要求1、2或4所述的一種具有電子阻擋層的GaSb基中紅外激光器的外延結構，其特征在于電子阻擋層(7)是非摻雜的。

7.根據專利要求1、2或4所述的一種具有電子阻擋層的GaSb基中紅外激光器的外延結構，其特征在于電子阻擋層(7)的組分是變化的，其中Al組分變化范圍是從0到1。

8.根據專利要求7所述的一種具有電子阻擋層的GaSb基中紅外激光器的外延結構，其特征在于電子阻擋層(7)中Al組分沿著從p型波導層到p型限制層的方向增加。