[發明專利]一種薄膜晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201410346471.8
• 申請日: 2014-07-21
• 公開（公告）號: CN104134613B
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發明（設計）人: 高金字;呂雅茹;鍾享顯;陸文正
• 申請（專利權）人: 福州華映視訊有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 福州君誠知識產權代理有限公司 35211
• 代理人: 戴雨君

1.一種薄膜晶體管，其特征在于：其包含：

一基板；

一閘極，位于該基板上；

一閘極絕緣層，位于該閘極上；

一結構層，位于該閘極絕緣層上，該結構層包含一半導體層以及一汲極，該汲極與半導體層相鄰連接；

一源極，位于部分的該半導體層上；

一氧化層，覆蓋該源極與未被該源極覆蓋的該半導體層；

以及一保護層，位于該汲極與該氧化層上，其中，該氧化層的厚度小于3μm；氧化層隔開源極與汲極，源極與汲極之間的區域即為TFT的信道，氧化層的厚度即為TFT的信道的長度。

2.根據權利要求1所述的一種薄膜晶體管，其特征在于：所述半導體層的材料包含氧化銦鎵鋅(IGZO)。

3.根據權利要求1所述的一種薄膜晶體管，其特征在于：所述氧化層的材料包含金屬氧化物。

4.根據權利要求1所述的一種薄膜晶體管，其特征在于：所述保護層的材料包含氮化硅（Si₃N₄）。

5.一種制造薄膜晶體管的方法，用于制造權利要求1-4之一所述的一種薄膜晶體管，其特征在于：其包含下列步驟：

形成一閘極于一基板上；

形成一閘極絕緣層于該閘極上；

形成一圖案化半導體層于該閘極絕緣層上；

形成一源極于該圖案化半導體層上；

氧化該源極的外圍部份以形成一氧化層，其中該氧化層覆蓋該源極及部分的該圖案化半導體層；

形成一保護層與氫離子，其中該保護層覆蓋該氧化層與該圖案化半導體層；

以及以該氫離子摻雜未被該氧化層覆蓋的該圖案化半導體層，以形成一汲極。

6.根據權利要求5所述的一種制造薄膜晶體管的方法，其特征在于：所述形成該圖案化半導體層的步驟包含：

形成一半導體材料于該閘極絕緣層上；

以一半調式光罩形成一光阻于該半導體材料上；

以及以該光阻為屏蔽對該半導體材料進行蝕刻，以形成該圖案化半導體層。

7.根據權利要求5所述的一種制造薄膜晶體管的方法，其特征在于：所述源極的材料包含容易氧化的金屬。

8.根據權利要求5所述的一種制造薄膜晶體管的方法，其特征在于：所述氧化該源極的外圍部份包含以二氧化氮電漿或氧氣電漿進行氧化。

9.根據權利要求5所述的一種制造薄膜晶體管的方法，其特征在于：所述保護層與該氫離子系以甲硅烷(SiH₄)與氨(NH₃)形成。

10.根據權利要求5所述的一種制造薄膜晶體管的方法，其特征在于：所述氧化層的厚度小于3μm。