[發明專利]一種MEMS硅基微熱板及其加工方法

在審

• 申請號: 201410344534.6
• 申請日: 2014-07-18
• 公開（公告）號: CN104108677A
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發明（設計）人: 沈方平;張珽;祁明鋒;劉瑞;丁海燕;谷文
• 申請（專利權）人: 蘇州能斯達電子科技有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

1.一種MEMS硅基微熱板，其特征在于，包括：

單晶硅襯底(1)；

多孔硅層(2)，形成于所述單晶硅襯底(1)的上表面且具有一定深度，所述多孔硅層(2)的上表面及孔壁表面形成有二氧化硅薄膜(21)，且所述多孔硅層(2)與所述單晶硅襯底(1)的上表面平齊；

下絕緣層(3)，覆蓋所述多孔硅層(2)及所述單晶硅襯底(1)的上表面；

加熱層(4)，設置于所述下絕緣層(3)的上表面，且所述加熱層(4)位于所述多孔硅層(2)的正上方區域內；

上絕緣層(5)，覆蓋所述加熱層(4)的上表面。

2.如權利要求1所述的MEMS硅基微熱板，其特征在于，所述多孔硅層(2)的厚度為20-100μm，孔隙率為50％-90％。

3.如權利要求1或2所述的MEMS硅基微熱板，其特征在于，所述二氧化硅薄膜(21)的厚度為100-500nm。

4.如權利要求1或2所述的MEMS硅基微熱板，其特征在于，所述上絕緣層(5)邊緣具有若干缺口形成加熱層引線窗(6)。

5.一種MEMS硅基微熱板的加工方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、在單晶硅襯底的上表面制備多孔硅層；

S2、在制備好的多孔硅層的上表面及孔壁表面制備二氧化硅薄膜；

S3、在具有所述多孔硅層的單晶硅襯底的上表面制備下絕緣層；

S4、在制備好的下絕緣層的上表面制備加熱層，所述加熱層位于所述多孔硅層的正上方區域內；

S5、在制備好的加熱層的上表面，按照步驟S3的方法制備上絕緣層。

6.如權利要求5所述的MEMS硅基微熱板的加工方法，其特征在于，所述步驟S1中的制備所述多孔硅層的方法為電化學方法。

7.如權利要求5或6所述的MEMS硅基微熱板的加工方法，其特征在于，所述S1步驟中制備的所述多孔硅層的厚度為20-100μm，孔隙率為50％-90％。

8.如權利要求5或6所述的MEMS硅基微熱板的加工方法，其特征在于，所述步驟S2中的制備二氧化硅薄膜的方法為熱氧化方法。

9.如權利要求5或6所述的MEMS硅基微熱板的加工方法，其特征在于，所述步驟S2中制備得到的二氧化硅薄膜的厚度為100-500nm。

10.如權利要求5或6所述的MEMS硅基微熱板的加工方法，其特征在于，在步驟S5中制備所述上絕緣層時邊緣保留若干缺口形成加熱層引線窗。