[發明專利]一種多晶硅片的制備方法

在審

• 申請號: 201410342919.9
• 申請日: 2014-07-18
• 公開（公告）號: CN104131339A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 段金剛;明亮;譚曉松;黃俊;瞿海斌;陳國紅;楊曉生
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十八研究所
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113
• 代理人: 馬強;周棟

1.一種多晶硅片的制備方法，采用多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

（1）在噴涂好的石英坩堝底部鋪設粒徑為2mm—5mm的碎料，形成10mm—40mm厚度的顆粒料層；鋪底完成后，將硅料和母合金裝入石英坩堝中，然后將石英坩堝裝入鑄錠爐內，閉合上下爐體，抽真空，再關閉隔熱籠，加熱使硅料進入熔化階段；所述母合金的加入比例根據目標電阻值計算得到；

（2）進入熔化階段后，控制加熱溫度為1530℃—1550℃，隔熱籠提升至開度（a）為5?mm—80mm，并控制熔化階段TC2溫度不超過1380℃，當石英坩堝底部顆粒料層高度為10mm—30mm時，進入如下步驟（3）至（5）所述的降溫階段；

（3）控制加熱器溫度為1490℃—1530℃，在10min—20min內將隔熱籠提升至開度（a）為10?mm—30mm；

（4）控制加熱器溫度為1450℃—1480℃，在10min—30min內將隔熱籠提升至開度（a）為10?mm—50mm；

（5）控制加熱器溫度為1420℃—1440℃，在10min—50min內將隔熱籠提升至開度（a）為10?mm—80mm；；

其中，步驟（4）中隔熱籠開度（a）大于第（3）步中隔熱籠開度（a）；步驟（5）中隔熱籠開度（a）大于等于步驟（4）中隔熱籠開度（a）；步驟（3）至（5）所述的熔化階段結束后進入如下步驟（6）至（7）所述的長晶階段；

（6）長晶初期控制加熱溫度為1425℃—1440℃，隔熱籠提升速度為4?mm/h—8mm/h，使得石英坩堝底部顆粒料層中的碎多晶形成一層均勻的小晶粒籽晶；

（7）長晶中后期控制隔熱籠的提升速度為0?mm/h—4mm/h，控制加熱器的降溫速率為1℃/h—2℃/h，保持微凸的固液界面，豎直向上定向凝固生成晶粒均勻的多晶硅。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（1）所述碎料為顆粒料、多晶硅、單晶硅或準單晶硅的碎片料中的一種或多種。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（4）是在10min—30min內隔熱籠提升至開度（a）為30?mm—50mm。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（5）是在40min—50min內隔熱籠提升至開度（a）為50?mm—80mm。