[發明專利]多邊緣MoS2納米片/石墨烯電化學貯鎂復合電極及制備方法

有效

• 申請號: 201410340018.6
• 申請日: 2014-07-17
• 公開（公告）號: CN104091925A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 陳衛祥;馬琳;葉劍波;王臻
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01M4/136
• 分類號: H01M4/136;H01M4/1397;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 杭州賽科專利代理事務所 33230
• 代理人: 馮年群

1.?一種多邊緣MoS₂/石墨烯電化學貯鎂復合電極，其特征在于，所述復合電極的電化學貯鎂活性物質為少層數的多邊緣MoS₂納米片/石墨烯的復合納米材料，復合納米材料中多邊緣MoS₂納米片和石墨烯的物質的量之比為1:2，復合電極的組分及其質量百分比含量為：多邊緣MoS₂納米片/石墨烯復合納米材料80%，乙炔黑10％，羧甲基纖維素5%，聚偏氟乙烯5％。

2.?根據權利要求1所述的多邊緣MoS₂/石墨烯電化學貯鎂復合電極，其特征在于，所述多邊緣MoS₂納米片的層數為3~6層。

3.一種權利要求1所述多邊緣MoS₂/石墨烯電化學貯鎂復合電極的制備方法,?其特征在于，所述?制備方法按如下步驟進行：

（1）將氧化石墨烯超聲分散在去離子水中，加入適量離子液體1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽([BMIM]BF₄)，并充分攪拌，然后再依次加入L-半胱氨酸和鉬酸鈉，并不斷攪拌使L-半胱氨酸和鉬酸鈉完全溶解，L-半胱氨酸和鉬酸鈉用量的物質的量之比為5:1，鉬酸鈉與氧化石墨烯的物質的量之比為1:2；

（2）將步驟（1）得到的混合分散體系轉移到水熱反應釜中，并加入去離子水調整體積至水熱反應釜標稱體積的80%，離子液體的含量為5?mL/L，?將該反應釜放入恒溫烘箱里，在240℃下水熱反應24?h后，讓其自然冷卻至室溫，用離心分離收集水熱固體產物，并用去離子水充分洗滌，在100℃下真空干燥，所得到的水熱固體產物在氮氣/氫氣混合氣氛中在500℃下熱處理2?h，混合氣體中氫氣的體積分數為10%，制備得到多邊緣MoS₂納米片/石墨烯的復合納米材料；

（3）將上述制備的多邊緣MoS₂納米片/石墨烯復合納米材料作為電極的電化學貯鎂活性物質，與乙炔黑、羧甲基纖維素和質量分數5%的聚偏氟乙烯的N-甲基吡咯烷酮溶液在攪拌下充分混合調成均勻的漿料，將該漿料均勻地涂到作為集流體的泡沫銅上，干燥，滾壓后制備得到多邊緣MoS₂/石墨烯電化學貯鎂復合電極。