[發明專利]涉及利用表面貼裝器件實施的共形覆膜的設備及方法有效
| 申請號: | 201410339712.6 | 申請日: | 2014-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN104319239B | 公開(公告)日: | 2018-05-22 |
| 發明(設計)人: | A·J·洛比安科;H·E·陳;R·F·達維奧克斯;H·M·古延;M·S·里德;L·A·德奧里奧 | 申請(專利權)人: | 天工方案公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 于小寧 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 涉及 利用 表面 器件 實施 共形覆膜 設備 方法 | ||
公開了涉及射頻(RF)模塊的共形覆膜的設備及方法。在一些實施例中,模塊可包括在安裝在封裝基板的RF組件之上形成的包覆膜。包覆膜也可以覆蓋表面貼裝器件(SMD),諸如實施為管芯尺寸表面聲波(SAW)器件(CSSD)的RF濾波器。模塊還可以包括在包覆模之上形成并且配置成為模塊提供RF屏蔽功能的導電層。導電層可以穿過SMD電連接到封裝基板的接地平面。可以在SMD之上的包覆膜中形成開口;并且導電層可以與開口相符以將導電層和SMD的上表面電連接,由此有助于接地連接。
相關申請的交叉引用
本申請要求2013年4月16日提交的、名稱為“RADIO-FREQUENCY SHIELD GROUNDPATH THROUGH A SURFACE MOUNT DEIVCE”的美國臨時申請No.61/812,610,以及2013年4月29日提交的、名稱為“TIERED PACKAGE-LEVEL RADIO-FREQUNCY SHIELDING”的美國臨時申請No.61/817,295的優先權,上述每一個的公開內容由此通過引用的方式將各自的全部內容明確地并入于此。
技術領域
本公開總體涉及射頻模塊的屏蔽。
背景技術
電磁(EM)場可能從對諸如RF模塊的射頻(RF)設備的區域上不期望的影響而產生或對諸如RF模塊的射頻(RF)設備的區域有不期望的影響。這種EM干擾(EMI)會降低使用該RF模塊的無線設備的性能。一些RF模塊可以被提供EM屏蔽以解決與EMI有關的該性能問題。
發明內容
在一些實施方式中,本公開涉及射頻(RF)模塊,其包括配置為容納多個組件的封裝基板。RF模塊進一步包括安裝在封裝基板上并配置為有助于處理RF信號的RF組件。RF模塊進一步包括相對于RF組件布置的RF屏蔽。RF屏蔽被配置成為RF組件提供屏蔽。RF屏蔽包括多個屏蔽焊線以及至少一個屏蔽組件。所述至少一個屏蔽組件被配置為取代一個或多個屏蔽焊線。
在一些實施例中,RF模塊可進一步包括在多個屏蔽焊線下實施的傳導路徑。傳導路徑可被電連接到屏蔽焊線和封裝基板內的接地平面。RF屏蔽可包括至少一個沿封裝基板的選定的邊布置的屏蔽焊線。選定的邊可基本上沒有屏蔽焊線和傳導路徑。選定的邊可基本上沒有用于容納屏蔽焊線和傳導路徑的余量,由此減小封裝基板的總體橫向面積。
在一些實施例中,屏蔽組件可以包括上表面和在上表面上實施的導電特征。導電特征可通過屏蔽組件電連接到RF屏蔽的接地平面。屏蔽組件上的導電特征的上部可以與RF屏蔽的上部導電層電連接。上部導電層還可以與屏蔽焊線的上部電連接。RF模塊可以進一步包括密封了屏蔽焊線和屏蔽組件的至少一部分的包覆模結構,包覆模結構可以包括暴露屏蔽焊線的上部和導電特征的上部的上表面。
在一些實施例中,屏蔽焊線可以包括濾波器器件。濾波器器件可以是例如CSSD濾波器。
根據一些實施方式,本公開涉及用于制造射頻(RF)模塊的方法。該方法包括提供被配置為容納多個組件的封裝基板。該方法進一步包括安裝RF組件到封裝基板上,RF組件被配置為有助于處理RF信號。該方法進一步包括形成相對于RF組件的RF屏蔽。RF屏蔽配置成為RF組件提供屏蔽。RF屏蔽包括多個屏蔽焊線以及至少一個屏蔽組件。所述至少一個屏蔽組件被配置為取代一個或多個屏蔽焊線。
在一些實施例中,形成RF屏蔽包括安裝沿封裝基板的選定的邊布置的至少一個屏蔽組件。選定的邊可基本上沒有屏蔽焊線。選定的邊可基本上沒有用于容納屏蔽焊線的余量,由此減小封裝基板的總體橫向面積。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





