[發明專利]POP封裝方法在審
| 申請號： | 201410336397.1 | 申請日： | 2014-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN104103595A | 公開（公告）日： | 2014-10-15 |
| 發明（設計）人： | 張衛紅;張童龍 | 申請（專利權）人： | 南通富士通微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/98 | 分類號： | H01L21/98;H01L25/065;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮 |
| 地址： | 226006 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | pop 封裝 方法 | ||
1.一種POP封裝方法，包括制作上封裝體、制作下封裝體，將所述上封裝體和所述下封裝體對接，其特征在于，制作所述下封裝體包括步驟：
S101：提供一基板，在所述基板的上表面形成第一焊球，且倒裝并回流焊接芯片，所述芯片和基板通過底部填充技術進行加固；
S102：提供一金屬板條，對所述金屬板條進行光刻和/或腐蝕，在所述金屬板條的一側形成金屬凸點；
S103：將所述金屬板條具有所述金屬凸點的一側向下對著基板，并與所述基板上的所述第一焊球進行回流焊接形成一體；
S104：在所述基板上形成塑封料層，所述塑封料層包覆所述芯片、第一焊球及金屬凸點；
S105：去除所述金屬板條頂部材料，直至所述金屬凸點露出所述塑封料層。
2.根據權利要求1所述的POP封裝方法，其特征在于，所述芯片和基板之間的空隙通過毛細底部填充技術或者模塑底部填充技術填充并固化。
3.根據權利要求1所述的POP封裝方法，其特征在于，所述金屬板條材料為銅合金。
4.根據權利要求1所述的POP封裝方法，其特征在于，步驟S102中所述金屬板條形成金屬凸點的一側還形成繞線。
5.根據權利要求1-4任一項所述的POP封裝方法，其特征在于，所述塑封料層包覆所述芯片、第一焊球、金屬凸點和繞線。
6.根據權利要求4所述的POP封裝方法，其特征在于，所述步驟S105后還包括在繞線上表面覆蓋保護層，所述保護層在金屬凸點處開口并暴露所述金屬凸點。
7.根據權利要求1-4任一項所述的POP封裝方法，其特征在于，還包括步驟：在所述基板的下表面形成第二焊球。
8.根據權利要求1-4任一項所述的POP封裝方法，其特征在于，所述上封裝體背面設置有第三焊球，還包括將所述上封裝體背面的第三焊球與下封裝體的金屬凸點對齊進行回流焊接形成一體。
9.根據權利要求1-4任一項所述的POP封裝方法，其特征在于，所述上封裝體的封裝形式為球柵陣列封裝。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
