[發明專利]一種薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201410334219.5
• 申請日: 2014-07-14
• 公開（公告）號: CN104167446B
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發明（設計）人: 王美麗;辛龍寶
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 彭瑞欣,陳源

1.一種薄膜晶體管，包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，所述柵絕緣層設置在所述柵極和所述有源層之間，所述源極和所述漏極分別對應設置在所述有源層的兩端，所述有源層采用金屬氮氧化物材料形成，其特征在于，還包括能導電的氧空位削減層，所述氧空位削減層設置在所述有源層與所述源極之間，和/或所述氧空位削減層設置在所述有源層與所述漏極之間，用于使其中的氮原子滲透到所述有源層中，以對所述有源層中的氧空位進行削減；所述氧空位削減層采用金屬氮化物材料。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述氧空位削減層包括第一削減部或第二削減部，或者，所述氧空位削減層包括第一削減部和第二削減部，所述第一削減部和所述第二削減部相分離；

所述第一削減部對應設置于所述源極和所述有源層之間，且所述第一削減部與所述源極和所述有源層接觸，所述第二削減部對應設置于所述漏極和所述有源層之間，且所述第二削減部與所述漏極和所述有源層接觸。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氮化物材料包括Mo_xN_(1-x)或NdMoN，其中，0.1＜x＜1。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，對應設置于所述源極和所述有源層之間的所述第一削減部在所述柵絕緣層上的投影與所述源極在所述柵絕緣層上的投影重合；對應設置于所述漏極和所述有源層之間的所述第二削減部在所述柵絕緣層上的投影與所述漏極在所述柵絕緣層上的投影重合。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極和所述有源層之間對應設置有所述第一削減部，所述漏極和所述有源層之間對應設置有所述第二削減部，所述第一削減部和所述第二削減部與所述源極和所述漏極同時形成。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管為底柵型結構。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管為頂柵型結構。

8.根據權利要求2-5任意一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層設置在所述有源層與所述源極和所述漏極之間，所述氧空位削減層位于所述刻蝕阻擋層的遠離所述有源層的一側；所述刻蝕阻擋層在對應設置有所述第一削減部的區域開設有第一過孔，所述第一削減部通過所述第一過孔與所述有源層接觸；所述刻蝕阻擋層在對應設置有所述第二削減部的區域開設有第二過孔，所述第二削減部通過所述第二過孔與所述有源層接觸。

9.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求1-8任意一項所述的薄膜晶體管。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求9所述的陣列基板。