[發明專利]一種芯片的密封環有效
| 申請號： | 201410328204.8 | 申請日： | 2014-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN105336710B | 公開（公告）日： | 2018-03-23 |
| 發明（設計）人： | 王曉東;張賀豐 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/16 | 分類號： | H01L23/16 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司11240 | 代理人： | 吳貴明,張永明 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 芯片 密封 | ||
1.一種芯片的密封環，包括多層金屬層疊結構，各所述金屬層疊結構包括：
金屬布線層，包括金屬層和介質材料部；
層間介質層；
過孔，貫穿所述層間介質層設置，將相鄰的所述金屬層疊結構耦連，其特征在于，所述密封環還包括一個或多個金屬墻，所述金屬墻包括：
主體部，貫通各所述金屬層疊結構；
卡接部，與所述主體部一體設置，所述卡接部向所述層間介質層內部延伸且與相鄰的所述金屬布線層中的所述金屬層卡接。
2.根據權利要求1所述的密封環，其特征在于，所述過孔的特征尺寸為D1，所述主體部的特征尺寸為D2，所述卡接部的特征尺寸D3，其中，D2+D3＝D4，且D2：D3＝0.9:1.1～1.1:0.9，所述D1：D4＝0.9:1～1:1.1，所述特征尺寸是沿芯片溝道長度方向延伸的尺寸。
3.根據權利要求1所述的密封環，其特征在于，所述金屬墻為一個且設置在所述密封環的遠離所述芯片的一側邊緣。
4.根據權利要求1所述的密封環，其特征在于，所述金屬墻為兩個且分別設置在所述密封環的兩側邊緣。
5.根據權利要求1所述的密封環，其特征在于，所述金屬層疊結構為4～8層。
6.根據權利要求5所述的密封環，其特征在于，所述金屬層疊結構為6～8層。
7.根據權利要求1所述的密封環，其特征在于，所述密封環為多個。
8.根據權利要求7所述的密封環，其特征在于，所述密封環為2～5個。
9.根據權利要求1所述的密封環，其特征在于，所述各金屬層疊結構還包括金屬粘附層，設置在所述層間介質層與所述金屬布線層之間。
10.根據權利要求9所述的密封環，其特征在于，形成所述金屬粘附層的材料為含碳的氮化硅。
11.根據權利要求1所述的密封環，其特征在于，所述金屬層和所述介質材料部之間、所述過孔與所述層間介質層之間、所述金屬墻的側壁上設置有金屬擴散阻擋層。
12.根據權利要求11所述的密封環，其特征在于，形成所述金屬擴散阻擋層的材料為鉭或氮化鉭。
13.根據權利要求1所述的密封環，其特征在于，所述介質材料部和形成所述層間介質層的材料為SiOCH、氧化硅、氮化硅、氟硅玻璃或摻雜碳的氧化硅。
14.根據權利要求1至13中任一項所述的密封環，其特征在于，所述密封環為內密封環。
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