[發明專利]一種半導體器件終端環的拐角結構、制造工藝及光掩膜板

在審

• 申請號: 201410324369.8
• 申請日: 2014-07-08
• 公開（公告）號: CN104134687A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 胡浩
• 申請（專利權）人: 成都星芯微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/266
• 代理公司: 北京天奇智新知識產權代理有限公司 11340
• 代理人: 楊春

1.一種半導體器件終端環的拐角結構，其特征在于：以所述終端環的圓心為中心，所述終端環的弧形拐角部位由內向外分為多個弧形條狀區域，多個所述弧形條狀區域的摻雜濃度由內而外逐漸減小。

2.根據權利要求1所述的半導體器件終端環的拐角結構，其特征在于：所述弧形條狀區域為五個。

3.一種如權利要求1或2所述的半導體器件終端環的拐角結構的制造工藝，其特征在于：包括以下步驟：

(1)準備N型襯底或P型襯底：電阻率為10～200歐姆·厘米；

(2)在N型襯底或P型襯底上生長注入前氧化層；

(3)旋涂光刻膠，并使用光掩膜板進行曝光、顯影，所述光掩膜板的結構為：以所述光掩膜板的中點為中心，所述光掩膜板的弧形拐角部位的透光區面積由內而外逐漸減小；

(4)通過P型雜質注入形成P型摻雜或N型雜質注入形成N型摻雜，注入劑量為1e12atom/cm2～1e15atom/cm2；

(5)通過高溫氧化推結，爐管溫度為850℃～1200℃，持續時間為30分鐘～300分鐘，生長氧化層，并激活P型雜質或N型雜質，形成終端表面耐壓區；

(6)對于NMOS，通過N型雜質注入形成N型襯底源漏區，注入劑量為1e12atom/cm2～5e15atom/cm2；對于PMOS，通過P型雜質注入形成P型襯底源漏區，注入劑量為1e12atom/cm2～5e15atom/cm2；N型襯底或P型襯底也用作為耐壓區邊緣的場截止環；

(7)淀積TEOS作為層間介質；

(8)濺鍍或者蒸發沉積鋁，制作金屬接觸電極，也用作為金屬零偏場板及截止環場板，形成完整的終端耐壓結構。

4.根據權利要求3所述的半導體器件終端環的拐角結構的制造工藝，其特征在于：所述步驟(3)中的光掩膜板的弧形拐角部位的透光區為叉指狀、鋸齒狀、圓點狀、多邊形和環形中的一種或幾種。

5.一種用于半導體器件終端環制造的光掩膜板，包括弧形拐角部位，其特征在于：以所述光掩膜板的中點為中心，所述弧形拐角部位的透光區面積由內而外逐漸減小。

6.根據權利要求5所述的用于半導體器件終端環制造的光掩膜板，其特征在于：所述弧形拐角部位的透光區為叉指狀、鋸齒狀、圓點狀、多邊形和環形中的一種或幾種。