[發明專利]一種N-GaN層藍光LED外延結構

有效

• 申請號: 201410323665.6
• 申請日: 2014-07-09
• 公開（公告）號: CN105304776A
• 公開（公告）日: 2016-02-03
• 發明（設計）人: 田宇;俞登永;鄭建欽;曾欣堯;童敬文;吳東海;李鵬飛
• 申請（專利權）人: 南通同方半導體有限公司;同方股份有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/30
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種N-GaN層藍光LED外延結構，它從下至上依次包括藍寶石襯底（1）、AlN緩沖層（2）、U型GaN層（3）、N型GaN層（4）、有源區（5）、電子阻擋層（6）和P型GaN層（7），其特征在于：所述N型GaN層（4）包括生長厚度較薄的薄N-GaN層（8）和生長厚度較厚的厚N-GaN層（9），所述薄N-GaN層（8）與厚N-GaN層（9）交替生長，或者厚N-GaN層（9）與薄N-GaN層（8）交替生長，交替生長周期為3-50個周期，N型GaN層（4）中摻雜Si元素。

2.根據權利要求1所述N-GaN層藍光LED外延結構，其特征在于：所述N型GaN層（4）中交替生長的薄N-GaN層（8）和厚N-GaN層（9）從下至上每層中的Si摻雜濃度按比例逐漸降低，且薄N-GaN層（8）為高濃度層，厚N-GaN層（9）為低濃度層。

3.根據權利要求1或2所述N-GaN層藍光LED外延結構，其特征在于：所述薄N-GaN層(8)的厚度為10-1000埃，生長N型，摻雜的Si元素濃度為1x10¹⁷cm³~5x10²⁰cm³；所述厚N-GaN層（9）的厚度為20-2000埃，生長N型，摻雜的Si元素濃度為1x10¹⁷cm³~5x10²⁰cm³。

4.根據權利要求3所述N-GaN層藍光LED外延結構，其特征在于：所述N型GaN層（4）的生長溫度為800-1500℃，生長壓力為75-1000mbar，N型GaN層（4）在氮氣、氫氣或者氫氮混合氣環境中生長。

5.根據權利要求4所述N-GaN層藍光LED外延結構，其特征在于：所述N型GaN層（4）采用N-InGaN、N-AlGaN或者N-AlGaInN中的任一種，所述薄N-GaN層(8)與厚N-GaN層（9）交替生長采用AlGaN/GaN、InGaN/GaN或者AlGaInN/GaN中的任一種。