[發(fā)明專利]晶圓級封裝紅外探測器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410321574.9 | 申請日: | 2014-07-08 |
| 公開(公告)號: | CN104157719A | 公開(公告)日: | 2014-11-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孟如男;錢良山;姜利軍 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江大立科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/101 | 分類號: | H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務(wù)所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孫佳胤 |
| 地址: | 310053 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓級 封裝 紅外探測器 及其 制備 方法 | ||
1.一種晶圓級封裝紅外探測器,其特征在于,包括聚光基板和探測器基板,所述聚光基板與所述探測器基板通過一焊料層連接,所述聚光基板允許紅外光穿過并將紅外光匯聚在探測器基板上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝紅外探測器,其特征在于,所述聚光基板朝向和/或背向所述探測器基板的表面覆蓋有抗反射膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓級封裝紅外探測器,其特征在于,所述抗反射膜為用于窄帶增透的單層抗反射膜或者為用于寬帶增透的多層膜系。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝紅外探測器,其特征在于,所述聚光基板朝向所述探測器基板的表面設(shè)置有微結(jié)構(gòu),所述微結(jié)構(gòu)用于提高所述聚光基板的紅外光抗反射性能。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓級封裝紅外探測器,其特征在于,所述微結(jié)構(gòu)表面設(shè)置有抗反射膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝紅外探測器,其特征在于,所述聚光基板為凸透鏡基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝紅外探測器,其特征在于,所述探測器基板包括讀出電路、橋墩、橋腿和橋面,所述讀出電路設(shè)置于所述探測器基板內(nèi)部,所述橋墩設(shè)置在所述探測器基板表面且與所述讀出電路電連接,所述橋腿設(shè)置在所述橋墩上且與所述橋面連接,使得所述橋面懸浮在所述探測器基板表面,在所述探測器基板的表面與所述橋面相對的部分設(shè)置有紅外抗反射膜,所述紅外抗反射膜與所述橋面形成紅外共振腔。
8.一種晶圓級封裝紅外探測器的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:?提供一第一基板和一探測器基板,所述探測器基板含有紅外探測元件;?在所述第一基板的一表面制作聚光結(jié)構(gòu),形成聚光基板,用以將紅外光匯聚;?在所述第一基板的另一表面制作焊環(huán);?在所述探測器基板含有紅外探測元件的表面制作焊環(huán);?以所述第一基板的焊環(huán)及所述探測器基板的焊環(huán)為中間層,將所述第一基板和探測器基板鍵合,所述第一基板允許紅外光穿過并將紅外光匯聚在探測器基板上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法,其特征在于,在所述制作聚光結(jié)構(gòu)步驟后,進一步包括一在所述第一基板朝向和/或背向所述探測器基板的表面覆蓋抗反射膜的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法,其特征在于,在所述第一基板的另一表面制作焊環(huán)步驟之前,進一步包括一在所述第一基板朝向所述探測器基板的表面制作微結(jié)構(gòu)的步驟。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





