[發明專利]基于硅的中紅外區磁諧振超材料結構及其制備方法在審
| 申請號： | 201410318204.X | 申請日： | 2014-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN104090321A | 公開（公告）日： | 2014-10-08 |
| 發明（設計）人： | 肖淑敏;孫四五;宋清海 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學深圳研究生院 |
| 主分類號： | G02B5/20 | 分類號： | G02B5/20 |
| 代理公司： | 深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 張立娟 |
| 地址： | 518000 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 紅外 諧振 材料 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于硅的中紅外區磁諧振超材料結構，其特征在于：其包括兩部分，一部分是基板，另一部分是硅立方塊，所述基板為玻璃基板，所述硅立方塊周期性分布在所述玻璃基板上，硅立方塊的邊長為L，L的取值范圍是在1微米至5微米之間，硅立方塊的間距為W，W的取值范圍是在1微米至5微米之間。
2.根據權利要求1所述的基于硅的中紅外區磁諧振超材料結構，其特征在于：所要濾過的波段的波長滿足下面的表達式：
λ(M)＝3.9394L。
3.根據權利要求2所述的基于硅的中紅外區磁諧振超材料結構，其特征在于：硅立方塊的邊長為L與硅立方塊的間距為W滿足：L∶M＝1∶1。
4.根據權利要求1所述的基于硅的中紅外區磁諧振超材料結構，其特征在于：L的取值范圍是在1.2微米至4微米之間。
5.根據權利要求4所述的基于硅的中紅外區磁諧振超材料結構，其特征在于：L的取值范圍是在1.5微米至3微米之間。
6.根據權利要求1所述的基于硅的中紅外區磁諧振超材料結構，其特征在于：W的取值范圍是在1.2微米至4微米之間。
7.根據權利要求6所述的基于硅的中紅外區磁諧振超材料結構，其特征在于：W的取值范圍是在1.5微米至3微米之間。
8.一種權利要求1至7任意一項所述的基于硅的中紅外區磁諧振超材料結構的制備方法，其特征在于：采用光刻的方法獲得所述結構，具體如下：首先在玻璃基板上旋涂光刻膠，曝光后，進行顯影，得到掩模板上的圖案，然后用電子束真空蒸鍍的辦法將硅膜蒸鍍到基板上，移除光刻膠，得到所需的結構。
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