[發明專利]背照式CMOS影像傳感器及其制造方法在審
| 申請號： | 201410317691.8 | 申請日： | 2014-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN104078478A | 公開（公告）日： | 2014-10-01 |
| 發明（設計）人： | 劉遠良;李全寶 | 申請（專利權）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 背照式 cmos 影像 傳感器 及其 制造 方法 | ||
1.一種背照式CMOS影像傳感器的制造方法，包括：
經過前端工藝形成CMOS器件；
在所述CMOS器件上形成BPSG薄膜；及
進行熱處理。
2.如權利要求1所述的背照式CMOS影像傳感器的制造方法，其特征在于，所述BPSG薄膜中，硼和磷的重量百分比皆是3％～7％。
3.如權利要求1所述的背照式CMOS影像傳感器的制造方法，其特征在于，利用化學氣相沉積工藝形成所述BPSG薄膜。
4.如權利要求1所述的背照式CMOS影像傳感器的制造方法，其特征在于，所述BPSG薄膜的厚度為
5.如權利要求1所述的背照式CMOS影像傳感器的制造方法，其特征在于，在形成所述BPSG薄膜之前，還包括：在所述CMOS器件上沉積一阻擋層。
6.如權利要求5所述的背照式CMOS影像傳感器的制造方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為氮化硅，其厚度為
7.如權利要求1所述的背照式CMOS影像傳感器的制造方法，其特征在于，所述熱處理為采用爐管工藝進行處理。
8.如權利要求7所述的背照式CMOS影像傳感器的制造方法，其特征在于，所述熱處理的溫度范圍是650℃～900℃，處理時間為30～60分鐘。
9.一種背照式CMOS影像傳感器，包括：CMOS器件，以及覆蓋所述CMOS器件的BPSG薄膜。
10.如權利要求9所述的背照式CMOS影像傳感器，其特征在于，所述BPSG薄膜中硼和磷的重量百分比皆是3％～7％。
11.如權利要求9所述的背照式CMOS影像傳感器，其特征在于，所述BPSG薄膜的厚度為
12.如權利要求9所述的背照式CMOS影像傳感器，其特征在于，所述CMOS器件與BPSG薄膜之間還形成有一阻擋層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
