[發明專利]包括含銦和鋅的氧化物半導體材料的溝道的場效應晶體管有效
| 申請號： | 201410317457.5 | 申請日： | 2006-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN104659105B | 公開（公告）日： | 2018-11-23 |
| 發明（設計）人： | 巖崎達哉;田透;板垣奈穗 | 申請（專利權）人： | 佳能株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 楊國權 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 包括 氧化物 半導體材料 溝道 場效應 晶體管 | ||
【權利要求書】：
1.一種場效應晶體管，包括由氧化物半導體材料構成的溝道，其中，所述氧化物半導體材料由In、Zn、Ga、Sn和O組成，
其中，由In/(In+Ga+Zn)表示的In的原子組成比率是10原子％或更高且90原子％或更低，
由Zn/(In+Ga+Zn)表示的Zn的原子組成比率是10原子％或更高且90原子％或更低，
由Ga/(In+Ga+Zn)表示的Ga的原子組成比率是0原子％或更高且50原子％或更低，以及
由Sn/(Sn+In+Ga+Zn)表示的Sn的原子組成比率是0.1原子％或更高且30原子％或更低。
2.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述Sn的原子組成比率是1原子％或更高且10原子％或更低。
3.根據權利要求2所述的晶體管，其中，所述Sn的原子組成比率是2原子％或更高且7原子％或更低。
4.根據權利要求1-3中的任何一個所述的晶體管，其中，所述溝道所具有的厚度范圍是10nm至200nm。
5.根據權利要求4所述的晶體管，其中，所述溝道所具有的厚度范圍是20nm至100nm。
6.根據權利要求5所述的晶體管，其中，所述溝道所具有的厚度范圍是30nm至70nm。
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