[發(fā)明專利]高晶體質(zhì)量的SiC單晶晶錠及其形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410314769.0 | 申請日： | 2009-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN104120489A | 公開（公告）日： | 2014-10-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 瓦拉塔拉詹·倫加拉詹;伊利婭·茨維巴克;邁克爾·C·諾蘭;布賴恩·K·布魯哈德 | 申請（專利權(quán)）人： | II-VI有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/14 | 分類號： | C30B15/14;C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人： | 顧紅霞;何勝勇 |
| 地址： | 美國賓夕*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶體 質(zhì)量 sic 單晶晶錠 及其 形成 方法 | ||
1.一種形成高晶體質(zhì)量的SiC單晶晶錠的方法，包括：
(a)設(shè)置圓筒形的坩堝，其具有頂部、底部和側(cè)部；
(b)設(shè)置以間隔關(guān)系位于所述坩堝內(nèi)部的SiC籽晶和源材料；
(c)設(shè)置一個或多個電阻加熱器，所述電阻加熱器與所述坩堝的頂部、底部和側(cè)部呈間隔關(guān)系并關(guān)于所述坩堝軸對稱地設(shè)置在所述坩堝外側(cè)；
(d)在所述電阻加熱器上施加電功率，以使所述源材料升華并且將升華的所述源材料傳輸?shù)剿鯯iC籽晶，在所述SiC籽晶處，傳輸?shù)纳A的所述源材料凝結(jié)并形成具有凸形生長界面的SiC單晶晶錠；以及
(e)生長具有如下特性的晶體質(zhì)量的所述SiC單晶晶錠：X射線反射的半高寬小于40弧秒，晶片平均微管密度小于0.5微管/cm2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：
所生長的所述SiC單晶晶錠具有凸形生長界面；并且
所述凸形生長界面的曲率半徑在25cm至35cm之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：
所生長的SiC晶體具有凸形生長界面；并且
所述凸形生長界面的曲率半徑與所生長的SiC晶體的直徑之比在2至4之間。
4.一種具有如下特性的晶體質(zhì)量的SiC單晶晶錠：X射線反射的半高寬小于40弧秒，晶片平均微管密度小于0.5微管/cm2。
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