[發(fā)明專利]玻璃模造用碳化硅陶瓷模仁及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410314758.2
• 申請日: 2014-07-03
• 公開（公告）號: CN104030548A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃政仁;王鳳艷;閆永杰;劉學(xué)健;陳忠明
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號: C03B11/06
• 分類號: C03B11/06;C04B41/88
• 代理公司: 上海瀚橋?qū)＠硎聞?wù)所(普通合伙) 31261
• 代理人: 曹芳玲;鄭優(yōu)麗

1.一種玻璃模造用碳化硅陶瓷模仁，其特征在于，所述碳化硅陶瓷模仁包括基材、保護膜以及位于所述基材和保護膜之間的金屬過渡層，其中，所述基材為碳化硅陶瓷，保護膜為碳化鎢硬質(zhì)合金，所述金屬過渡層為鈦、鉻或鎢。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅陶瓷模仁，其特征在于，所述碳化鎢硬質(zhì)合金為由碳化鎢和金屬粘結(jié)劑共同燒結(jié)形成的硬質(zhì)合金，所述碳化鎢硬質(zhì)合中金屬粘結(jié)劑的重量百分含量為0.5～10%，其中，金屬粘結(jié)劑優(yōu)選Co、TaC、Ti。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的碳化硅陶瓷模仁，其特征在于，所述金屬過渡層的厚度為0.05-0.2μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的碳化硅陶瓷模仁，其特征在于，所述保護膜的厚度為0.1-0.8μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一所述的碳化硅陶瓷模仁，其特征在于，所述基材的表面粗糙度Ra值≤10nm，垂直度和底面平行度≤1.0μm。

6.一種制備權(quán)利要求1-5中任一所述碳化硅陶瓷模仁的方法，其特征在于，所述方法包括：

1）采用磁控濺射工藝在經(jīng)預(yù)處理的基材表面，鍍上金屬過渡層；

2）采用離子束輔助氣相沉積工藝，在步驟1）制備的基材表面的金屬過渡層上，沉積保護膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，步驟1）中，所述基材為碳化硅陶瓷，采用固相、液相或反應(yīng)燒結(jié)得到。

8.根據(jù)權(quán)利要求6-7中任一所述的方法，其特征在于，步驟1）中，磁控濺射工藝的參數(shù)為：工作氣體為氬氣，本底真空度為2-4×10^-3Pa，工作氣壓為0.2-1Pa，基片溫度為100-200℃，工作電壓為80-115V。

9.根據(jù)權(quán)利要求6-8中任一所述的方法，其特征在于，步驟2）中，離子束輔助氣相沉積工藝的參數(shù)為：氣體總流量是120-210L/分鐘，氫氣流量是1.5-5L/分鐘，真空度為1-1×10^-5Pa，射頻功率為5-15MHz，溫度為100-650℃，工作氣壓為15-50Pa，沉積時間為150-300分鐘。