[發明專利]一種SOI晶圓的激光標記方法

有效

• 申請號: 201410314613.2
• 申請日: 2014-07-03
• 公開（公告）號: CN105336567B
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發明（設計）人: 金興成
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/762
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 李儀萍

本發明提供一種SOI晶圓的激光標記方法，至少包括以下步驟：S1：提供一SOI晶圓；在其正面依次形成第一介質層及第二介質層；S2：在所述SOI晶圓正面形成激光標記區開口及若干淺溝槽隔離區開口，開口底部均到達所述埋氧層表面；S3：從所述SOI晶圓正面對所述激光標記區開口進行激光照射，激光照射深度到達所述背襯底上部，以在所述背襯底上部形成激光標記；S4：在所述激光標記區開口及所述淺溝槽隔離區開口中填充第三介質層，并進行平坦化去除開口外多余的第三介質層；所述淺溝槽隔離區開口中的第三介質層構成淺溝槽隔離結構，定義有源區。本發明的激光標記與淺溝槽隔離結構同步形成，可以在SOI晶圓正面形成清晰的激光標記，并有效減少晶圓缺陷。

技術領域

本發明屬于半導體制造領域，涉及一種SOI晶圓的激光標記方法。

背景技術

大面積的晶圓在晶圓制造工藝中有很高的價值，為了保持精確的可追溯性，需要將多個晶圓區別開從而防止誤操作，激光標記識別號便可以達成這一功能。一般，在對晶圓進行加工以產生期望的芯片或集成電路的過程中，會在晶圓的例如外周區域制造一個激光標志區(laser maker)。該激光標志區用于標記晶圓的一個代號，該代號標記了代碼或編碼或序列號，該代號一般由數字或字符組成；通過讀取該代碼就可以識別出所加工的晶圓，例如獲知所加工的晶圓的批次批號等信息。常規的激光標記過程是在晶圓缺口(notch)鄰近的位置處利用激光作標記。激光標志區中的代碼或代號通常形成在硅片的最底層(例如襯底層)，此后即可利用觀察工具來通過查看該代碼或代號而查找出晶圓的編碼或批號信息。

對于普通晶圓來說，激光標記通常直接印制在晶圓正面。對于SOI晶圓，由于其頂層硅較薄，無法直接在其上印制激光標記，若直接從SOI晶圓正面在背襯底上打激光標記，由于激光的加熱作用使得埋氧層熱膨脹導致頂層硅漲裂或變形，從而導致激光標記不清晰。并且現有的激光標記方法是先對晶圓進行激光標記然后才開始器件制作，由于激光標記過程中會產生硅殘屑，即使經過晶片清洗步驟仍然可能導致化學機械研磨之后產生嚴重的劃傷缺陷問題。為了解決上述問題，目前的做法是在SOI晶圓背面印制激光標記來保證對晶圓信息的可追溯性，然而晶圓背面激光標志的查看需要額外的晶圓分類器(sorter)，不利于直接查看晶圓信息。

因此，提供一種SOI晶圓的激光標記方法以將激光標記清晰印制于晶圓正面并減少產生的缺陷實屬必要。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種SOI晶圓的激光標記方法，用于解決現有技術中無法在SOI晶圓正面形成激光標記、激光標記不清晰及晶圓缺陷多的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種SOI晶圓的激光標記方法，至少包括以下步驟：

S1：提供一自下而上依次包括背襯底、埋氧層及頂層硅的SOI晶圓；在所述SOI晶圓正面依次形成第一介質層及第二介質層；

S2：在所述SOI晶圓正面形成激光標記區開口及若干淺溝槽隔離區開口，其中，所述激光標記區開口位于所述SOI晶圓邊緣區域；所述激光標記區開口與所述淺溝槽隔離區開口的底部均到達所述埋氧層表面；

S3：從所述SOI晶圓正面對所述激光標記區開口進行激光照射，激光照射深度到達所述背襯底上部，以在所述背襯底上部形成激光標記；

S4：在所述激光標記區開口及所述淺溝槽隔離區開口中填充第三介質層，并進行平坦化去除開口外多余的第三介質層；所述淺溝槽隔離區開口中的第三介質層構成淺溝槽隔離結構，定義有源區。

可選地，所述第一介質層為氧化硅層，所述第二介質層為氮化硅層，所述第三介質層為氧化硅層。

可選地，所述第一介質層的厚度為50～500埃，所述第二介質層的厚度為500～5000埃。

可選地，所述激光標記位于所述SOI晶圓的缺口附近。