[發明專利]一種用于2.5D封裝的中間互聯層及其制備方法

在審

• 申請號: 201410311847.1
• 申請日: 2014-07-02
• 公開（公告）號: CN104051369A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 楊凡力
• 申請（專利權）人: 上海朕芯微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/28;H01L21/56
• 代理公司: 上海天翔知識產權代理有限公司 31224
• 代理人: 呂伴

技術領域

本發明涉及半導體器件封裝技術領域，特別涉及一種用于2.5D封裝的中間互聯層及其制備方法。

背景技術

目前用于2.5D封裝的中間互聯層主要有兩類技術，一類技術是采用PCB襯底作為中間互聯層，另一類技術是采用硅片作為中間互聯層。采用PCB襯底作為中間互聯層的工藝成熟，但其存在以下兩種缺點：一種缺點是PCB的厚度很厚，與現代電器小型化和薄層化不相吻合；第二種缺點是PCB和環氧樹脂之間存在分層的風險，易出現可靠性問題。采用硅片作為中間互聯層的技術需要采用粘片、剝離、TSV鉆孔和CVD/PVD/銅電鍍技術，工藝復雜。

發明內容

本發明的目的之一是針對現有技術所存在的上述諸多問題而提供一種用于2.5D封裝的中間互聯層，該中間互聯層采用環氧樹脂作為中間互聯層，工藝簡單。

本發明的目的之二在于提供上述用于2.5D封裝的中間互聯層的加工工藝。

為了實現上述發明目的，本發明所采用的技術方案如下：

一種用于2.5D封裝的中間互聯層，包括基體，所述基體采用環氧樹脂制成，在所述基體內設置有若干露出所述基體上、下表面的銅柱或錫球。

上述用于2.5D封裝的中間互聯層的制備方法，包括如下步驟：

(1)采用硅片或金屬框架制成一襯底；

(2)在所述襯底的指定區域內用電鍍的方法形成若干銅柱或采用植球的方法制作錫球；

(3)在所述襯底形成有銅柱這一面上采用涂覆或熱壓方法制備一層環氧樹脂層，所述環氧樹脂層淹沒掉所述銅柱或錫球；

(4)研磨所述環氧樹脂層直至露出銅柱或錫球；

(5)在環氧樹脂層的研磨面上布線；

(6)去掉所述襯底制成所述的中間互聯層或者將需要倒裝焊的管芯焊接在中間互聯層的一個面上再去掉襯底。

封裝時，將需要倒裝焊的管芯焊接在中間互聯層的一個面上，管芯焊接好以后也可以采用環氧樹脂進行封裝，在中間互聯層的另一個面上植球即可。

由于采用了如上的技術方案，本發明與現有技術相比，采用環氧樹脂等有機材料作為中間互聯層，不需要TSV等復雜的工藝，加工工藝非常簡單。

附圖說明

圖1為本發明在襯底的指定區域內用電鍍的方法形成若干銅柱的示意圖。

圖2為本發明在襯底形成有銅柱這一面上采用涂覆或熱壓方法制備一層環氧樹脂層并研磨環氧樹脂層直至露出銅柱的示意圖。

圖3為本發明在環氧樹脂研磨面上布線的示意圖。

圖4為本發明將需要倒裝焊的管芯焊接在中間互聯層的一個面上的示意圖。

圖5為本發明去掉襯底后在中間互聯層的另一個面上植球的示意圖。

圖6為本發明在管芯上封裝環氧樹脂的示意圖。

具體實施方式

參見附圖，圖中給出的用于2.5D封裝的中間互聯層的制備方法，包括如下步驟：

(1)采用硅片或金屬框架制成一襯底10；

(2)參見圖1，在襯底10的指定區域內用電鍍的方法形成若干銅柱20；

(3)參見圖2在襯底10形成有銅柱20這一面11上采用涂覆或熱壓方法制備一層環氧樹脂層30，環氧樹脂層30淹沒掉銅柱20；

(4)參見圖2，研磨環氧樹脂層30直至露出銅柱20；

(5)參見圖3，在環氧樹脂層30的研磨面31上布線40；

(6)參見圖4，將需要倒裝焊的管芯50焊接在環氧樹脂層30的研磨面31上的布線40上；

(7)參見圖5，去掉襯底10并在環氧樹脂層30另一個面32上植錫球60即可。

當然，參見圖6，也可以在管芯50上封裝環氧樹脂70。