[發(fā)明專利]分裂柵非易失性存儲(chǔ)器單元

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410311292.0
• 申請(qǐng)日: 2014-07-02
• 公開（公告）號(hào): CN104347518B
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: B·A·溫斯蒂亞德;洪全敏;姜盛澤;K·V·洛伊寇;J·A·耶特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 恩智浦美國有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11521
• 分類號(hào): H01L27/11521;H01L27/11568;H01L21/28;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/788;H01L29/792
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種使用具有第一導(dǎo)電類型的本底摻雜的襯底制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：

形成包括在所述襯底上的柵電介質(zhì)以及在所述柵電介質(zhì)上的選擇柵極層的柵極結(jié)構(gòu)，其中所述柵極層具有第一末端；

利用所述第一末端作為掩模，將第二導(dǎo)電類型的摻雜劑以非垂直角度注入與所述第一末端相鄰的所述襯底的第一部分，其中所述注入在將任何摻雜劑注入所述本底摻雜的所述第一部分之前，并且其中所述第一部分成為所述第二導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)域；

形成非易失性存儲(chǔ)器柵極結(jié)構(gòu)，其包括所述選擇柵極層的選擇柵極、具有在所述第一摻雜區(qū)域之上的第一部分的存儲(chǔ)層、以及在所述存儲(chǔ)層之上的控制柵極，其中所述選擇柵極具有作為所述第一末端的第一側(cè)面和與所述第一側(cè)面相對(duì)的第二側(cè)面，其中所述存儲(chǔ)層具有在所述選擇柵極的第一側(cè)面和所述控制柵極的第一側(cè)面之間的第二部分；

用第一導(dǎo)電類型的摻雜劑以非垂直角度進(jìn)行注入以在至少部分的所述選擇柵極下形成深摻雜區(qū)域；以及

用第二導(dǎo)電類型的摻雜劑進(jìn)行注入以在所述襯底中與所述選擇柵極的所述第二側(cè)面對(duì)準(zhǔn)地形成源極/漏極延伸部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述控制柵極具有與所述控制柵極的所述第一側(cè)面相對(duì)的第二側(cè)面，所述方法還包括：

沿著所述選擇柵極的所述第二側(cè)面以及所述控制柵極的所述第二側(cè)面形成側(cè)壁間隔物；以及

利用所述側(cè)壁間隔物作為掩模，以第二導(dǎo)電類型的摻雜劑進(jìn)行注入以在所述襯底中與所述選擇柵極的所述第二側(cè)面對(duì)準(zhǔn)地形成第一深源極/漏極區(qū)域以及在所述襯底中與所述控制柵極的所述第二側(cè)面對(duì)準(zhǔn)地形成第二深源極/漏極區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括：

在所述第一深源極/漏極區(qū)域上形成硅化物層以及在所述第二深源極/漏極區(qū)域上形成硅化物層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述存儲(chǔ)層包括納米晶體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述柵極結(jié)構(gòu)還包括在所述選擇柵極層上的電介質(zhì)層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述用第一導(dǎo)電類型的摻雜劑以非垂直角度進(jìn)行注入其特征還在于，使用所述控制柵極作為掩模。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述用第一導(dǎo)電類型的摻雜劑以非垂直角度進(jìn)行注入其特征還在于，使用圖案化的光致抗蝕劑層作為掩模。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在對(duì)所述第一部分進(jìn)行注入期間注入的所述第二導(dǎo)電類型的摻雜劑是除了在全部襯底中的所述本底摻雜的摻雜劑之外的僅有的摻雜劑。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述用第一導(dǎo)電類型的摻雜劑以非垂直角度進(jìn)行注入其特征還在于，注入包括由二氟化硼和硼構(gòu)成的組中之一的摻雜劑。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通過蝕刻所述選擇柵極層形成所述選擇柵極，以形成具有所述第二側(cè)面的所述選擇柵極。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述選擇柵極層具有所述第二側(cè)面，并且其中所述對(duì)所述襯底的所述第一部分進(jìn)行注入其特征還在于，對(duì)與所述選擇柵極層的所述第二側(cè)面相鄰的所述襯底的第二部分進(jìn)行注入。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述非易失性存儲(chǔ)器柵極結(jié)構(gòu)其特征還在于：所述存儲(chǔ)層在所述選擇柵極的一部分之上延伸，并且所述控制柵極在所述存儲(chǔ)層位于所述選擇柵極的所述部分之上延伸的位置處而在所述存儲(chǔ)層之上延伸。