[發明專利]半導體裝置

無效

• 申請號: 201410310356.5
• 申請日: 2014-07-01
• 公開（公告）號: CN104348417A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 岡本利治
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H03B5/36
• 分類號: H03B5/36
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 溫旭;郝傳鑫

相關申請的交叉引用

在此通過引用并入2013年7月23日提交的日本專利申請第2013-152802號的公布內容的全部，包括說明書、附圖和摘要。

技術領域

本發明涉及半導體裝置，并且涉及，例如，包括驅動晶體振蕩器的振蕩電路的半導體裝置。

背景技術

已知在各種不同的半導體裝置中，通過設置在芯片內的振蕩電路驅動芯片外部的晶體振蕩器產生振蕩信號，該振蕩信號用作時鐘信號。

為了減少由振蕩電路因高頻失真分量而產生的輻射噪聲，需要減少與晶體振蕩器連接的反相放大器的增益并且將振蕩信號的振幅電平縮減為盡可能的小。注意到，振蕩信號的振幅電平為振蕩信號的“峰值到峰值”電平，在下文中通過“Vp-p”表示。

另一方面，如果反相放大器的增益設置得太小，可能導致不振蕩。因此，需要將振幅電平Vp-p設置為盡可能的大以確保振蕩裕度和S/N(信噪比)。

鑒于這種進退兩難的困境，期望控制反相放大器的增益使得振蕩信號的振幅電平Vp-p應小于電源電壓VCC，但該振蕩信號的振幅電平應盡可能地接近電源電壓VCC。

專利文獻1中公開的振蕩器包括振蕩單元和檢測由該振蕩單元輸出的峰值輸出電壓(等同于振幅電平Vp-p)的峰值檢測單元，其中該振蕩單元包括具有不同振蕩裕度的多個振蕩電路。基于由峰值檢測單元檢測出的振幅電平Vp-p，選擇其中一個所述振蕩電路用作驅動晶體振蕩器的振蕩電路。

專利文獻2公開了基于振幅電平Vp-p調節振蕩電路中反相放大器的增益的技術。大體上，該技術與專利文獻1中公開的技術類似。

專利文獻3公開的單芯片微計算機檢測振蕩信號中的高頻分量并且基于該檢測的結果調節反相放大器的增益和阻尼電阻器的電阻。

[相關技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本未審查專利申請公開2009-152747號

[專利文獻2]日本未審查專利申請公開2001-257532號

[專利文獻3]日本未審查專利申請公開2002-252331號

發明內容

在專利文獻1中公開的振蕩器中，峰值檢測單元檢測振蕩信號的振幅電平Vp-p。因此，它不能作出區分具有相同振幅電平Vp-p的類矩形波和類正弦波的檢測。

因為類矩形波中包含的高頻分量的比例較大，所以輻射噪聲對類矩形波的影響比對類正弦波的影響大。

因而，對于專利文獻1中公開的技術，難以積極地減少輻射噪聲。專利文獻2中公開的技術同樣如此。

在專利文獻3公開的技術中，要求具有大電路尺寸的高頻分量檢測電路，因而，存在不得不增加整個半導體裝置的電路尺寸的問題。

根據本說明書的以下描述和附圖，其他問題和新穎特征將會清楚。

根據一種實施方式的半導體裝置測量由通過驅動晶體振蕩器而產生振蕩信號的振蕩電路輸出的振蕩信號的有效值并且調節該振蕩電路中包含的反相放大器的增益使得有效值等于目標電壓。

作為本發明的其他方面，與上述實施方式中的半導體裝置和包括該半導體裝置的芯片互為可選和等同的方法和系統也是有效的。

根據屬于上面實施方式的上述半導體裝置，可以以簡單的電路配置最優地調節振蕩電路的驅動功率。

附圖說明

圖1為圖示了屬于第一實施方式的半導體裝置的示意圖；

圖2為圖示了屬于第二實施方式的半導體裝置的示意圖；

圖3為圖示了屬于第三實施方式的半導體裝置中的控制單元的示意圖；

圖4為圖示了屬于第四實施方式的接收器的示意圖；

圖5為圖示了圖4所示的接收器的芯片中包含的時鐘產生單元的示意圖；

圖6示出了在圖5所示的時鐘產生單元的振蕩電路和第一復制電路中分別包含的反相放大器的配置示例；

圖7為表示調整控制器的控制信號的位值組合與圖6所示的反相放大器的增益值之間的相互關系的示意圖；

圖8為用于說明圖5所示的時鐘產生單元中A/D轉換器的示意圖；

圖9為用于說明圖5所示的時鐘產生單元中的各個信號如何轉換的示意圖；

圖10為圖示圖5所示的時鐘產生單元中的調整控制器的操作的流程圖。

圖11為圖示了屬于第五實施方式的時鐘產生單元的示意圖；

圖12為用于解釋圖11所示的時鐘產生單元中的各個信號如何轉換的示意圖；

圖13為圖示圖11所示的時鐘產生單元中的調整控制器的操作的流程圖。

具體實施方式