[發明專利]半導體裝置

無效

• 申請號: 201410310356.5
• 申請日: 2014-07-01
• 公開（公告）號: CN104348417A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 岡本利治
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H03B5/36
• 分類號: H03B5/36
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 溫旭;郝傳鑫

1.一種半導體裝置，包括：

振蕩電路，該振蕩電路包括反相放大器，該反相放大器的輸入端子和輸出端子分別與晶體振蕩器的輸出端和輸入端連接，并且在所述輸出端子處產生的電壓作為振蕩信號；

有效值測量電路，測量所述振蕩信號的有效值；

控制單元，調節所述反相放大器的增益使得由所述有效值測量電路測得的有效值等于目標電壓。

2.一種半導體裝置，包括：

振蕩電路，該振蕩電路包括反相放大器，該反相放大器的輸入端子和輸出端子分別與晶體振蕩器的輸出端和輸入端連接，并且在所述輸出端子處產生的電壓作為振蕩信號；

有效值測量電路，測量所述振蕩信號的有效值；

阻尼電阻器，連接在所述反相放大器的輸出端子和所述晶體振蕩器的輸入端之間；以及

控制單元，調節所述阻尼電阻器的電阻值使得由所述有效值測量電路測得的有效值等于目標電壓。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，進一步包括:

阻尼電阻器，該阻尼電阻器連接在所述反相放大器的輸出端子和所述晶體振蕩器的輸入端之間；

其中，所述控制單元調節所述反相放大器的增益和所述阻尼電阻器的電阻值使得由所述有效值測量電路測得的有效值等于目標電壓。

4.根據權利要求1或2或3所述的半導體裝置，

其中，所述控制單元包括:

比較電路，將由所述有效值測量電路測得的有效值與參考電壓進行比較；以及

控制執行單元，基于由所述比較電路作出的比較結果執行調節使得所述振蕩信號的有效值等于所述目標電壓。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，進一步包括：參考電壓產生單元，

該參考電壓產生單元產生參考電壓，

其中，所述參考電壓產生單元包括第一復制電路，除了該第一復制電路不與所述晶體振蕩器連接，并且輸出包括在該第一復制電路中的反相放大器的輸出電壓作為所述參考電壓之外，所述第一復制電路具有與所述振蕩電路相同的配置；

其中，所述控制單元在調節包括在所述振蕩電路中的反相放大器的增益時對包括在所述第一復制電路中的反相放大器的增益進行類似的調節。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，

其中，所述有效值測量電路包括：

差分對，包括所述振蕩電路中的反相放大器的輸入端子處和輸出端子處各自的電壓分別輸入至所述差分對；

恒電流源，向所述差分對提供工作電流；以及

低通濾波器，與所述差分對的輸出節點連接，

其中，所述低通濾波器的輸出被輸出至所述比較電路，并且

其中，所述比較電路比較所述低通濾波器的輸出和所述參考電壓。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，

其中，所述參考電壓產生單元進一步包括第二復制電路，除了包括在所述第一復制電路中的反相放大器的輸入端子處和輸出端子處各自的電壓被輸入至所述第二復制電路并且在所述第二復制電路中不配設所述低通濾波器之外，該第二復制電路具有與所述有效值測量電路相同的配置，以及

其中，所述參考電壓產生單元輸出包括在所述第二復制電路中的差分對的輸出電壓作為所述參考電壓。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，

其中，所述參考電壓產生單元進一步包括電平位移電路，該電平位移電路連接在所述第二復制電路和所述比較電路之間，以及

其中，在所述第二復制路中的差分對的輸出電壓的電平通過所述電平位移電路進行位移之后，所述參考電壓產生單元輸出所述電平位移后的輸出電壓作為所述參考電壓。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，所述控制單元能夠調節所述電平位移電路應用的位移量。