[發明專利]一種圖案化薄膜的制備方法、顯示基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201410306505.0 | 申請日: | 2014-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN104091761B | 公開(公告)日: | 2017-02-08 |
| 發明(設計)人: | 李琳;唐琛;辛陽陽;常珊 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/28 | 分類號: | H01L21/28;H01L21/768;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 圖案 薄膜 制備 方法 顯示 顯示裝置 | ||
1.一種圖案化薄膜的制備方法,其特征在于,包括:
在預設基板的表面上形成預設薄膜層;
在形成有上述結構的基板表面形成隔離層;
在形成有上述結構的基板表面形成光刻膠層,并通過構圖工藝形成所述隔離層的圖案;
在形成有上述結構的基板表面去除未被所述隔離層覆蓋的所述預設薄膜層;
在形成有上述結構的基板表面對所述光刻膠層進行剝離,并去除所述隔離層的圖案,形成所述預設薄膜層的圖案。
2.根據權利要求1所述的圖案化薄膜的制備方法,其特征在于,構成所述預設薄膜層的材料為銀納米線。
3.根據權利要求1或2所述的圖案化薄膜的制備方法,其特征在于,所述去除所述隔離層的圖案的方法包括濕法刻蝕。
4.根據權利要求3所述的圖案化薄膜的制備方法,其特征在于,構成所述隔離層的材料包括金屬活潑性大于金屬銀的材料。
5.根據權利要求4所述的圖案化薄膜的制備方法,其特征在于,所述隔離層由金屬銅或金屬鋁構成。
6.根據權利要求5所述的圖案化薄膜的制備方法,其特征在于,所述隔離層的厚度范圍為2000埃至5000埃。
7.一種顯示基板,其特征在于,包括透明基板以及位于所述透明基板表面的預設薄膜層的圖案,所述預設薄膜層的圖案采用如權利要求1-6任一項所述的圖案化薄膜的制備方法制成。
8.根據權利要求7所述的顯示基板,其特征在于,構成所述預設薄膜層的材料為銀納米線。
9.根據權利要求8所述的顯示基板,其特征在于,包括像素電極和/或公共電極;所述像素電極和/或所述公共電極由所述預設薄膜層的圖案構成。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求7-9任一項所述的顯示基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





