[發(fā)明專利]硼摻雜直拉硅單晶p/p+外延片銅沾污后獲得潔凈區(qū)的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410305340.5
• 申請日: 2014-06-30
• 公開（公告）號: CN104060327A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發(fā)明（設計）人: 徐進;謝婷婷;呂耀朝;吉川
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門大學
• 主分類號: C30B33/00
• 分類號: C30B33/00;C30B33/02
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200
• 代理人: 馬應森;戴深峻

1.硼摻雜直拉硅單晶p/p⁺外延片銅沾污后獲得潔凈區(qū)的方法，其特征在于包括以下步驟：

1)準備3組樣品，將第1組樣品浸入CuCl₂溶液中進行銅沾污，然后分別在1100～1300℃N₂，O₂和Ar氣氛下熱處理60～90s，將第2、3組樣品直接分別在1100～1300℃N₂，O₂和Ar氣氛下熱處理60～90s；

2)將步驟1)熱處理過的第2組樣品進行銅沾污，然后在600～800℃下保溫6～8h；將步驟1)熱處理過的第1,3組樣品直接在600～800℃下保溫6～8h；

3)將步驟2)處理過的第3組樣品進行銅沾污，然后在900～1100℃下保溫12～16h；將步驟2)處理過的第1,2組樣品直接在900～1100℃下保溫12～16h，實現(xiàn)硼摻雜直拉硅單晶p/p⁺外延片銅沾污后獲得潔凈區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述硼摻雜直拉硅單晶p/p⁺外延片銅沾污后獲得潔凈區(qū)的方法，其特征在于在步驟1)中，所述CuCl₂溶液采用濃度為0.5mol/L的CuCl₂溶液。