[發明專利]非易失性存儲器裝置和垂直NAND存儲器裝置

有效

• 申請號: 201410301392.5
• 申請日: 2010-02-09
• 公開（公告）號: CN104112750B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 薛光洙;金錫必;樸允童
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11519
• 分類號: H01L27/11519;H01L27/11556;H01L27/11551;G11C16/04
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 韓芳,譚昌馳

1.一種非易失性存儲器裝置，所述非易失性存儲器裝置包括：

多個直接相鄰的偏移的垂直NAND溝道，電結合到所述非易失性存儲器裝置的單一的選擇柵極線，

其中，所述多個直接相鄰的偏移的垂直NAND溝道包括第一溝道和第二溝道，

其中，第一溝道和第二溝道在位線方向上相互偏移，

其中，第二溝道在垂直于位線方向的方向上與第一溝道偏移，

其中，所述位線方向垂直于所述單一的選擇柵極線的方向。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，第二溝道在垂直于位線方向的方向上與第一溝道偏移的距離小于包括在所述多個直接相鄰的偏移的垂直NAND溝道中的單個溝道的寬度的兩倍。

3.如權利要求2所述的非易失性存儲器裝置，其中，從位線的中心到所述多個直接相鄰的偏移的垂直NAND溝道中電結合到直接相鄰的位線的垂直NAND溝道的中心測量所述距離。

4.如權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，第一溝道和第二溝道分別電結合到直接相鄰的位線。

5.如權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，結合到所述直接相鄰的偏移的垂直NAND溝道的直接相鄰的位線的寬度比溝道的寬度窄。

6.如權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，所述多個直接相鄰的偏移的垂直NAND溝道還包括沿垂直于位線方向的方向從第二溝道偏移的第三溝道。

7.如權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，所述多個直接相鄰的偏移的垂直NAND溝道還包括沿垂直于位線方向的方向從第二溝道偏移的第三溝道和從第三溝道偏移的第四溝道。

8.如權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，所述多個直接相鄰的偏移的垂直NAND溝道還包括沿垂直于位線方向的方向從第二溝道偏移的第三溝道、從第三溝道偏移的第四溝道和從第四溝道偏移的第五溝道。

9.一種非易失性存儲器裝置，所述非易失性存儲器裝置包括：

多個相鄰的垂直NAND溝道，以沿垂直于位線方向的方向延伸的Z字形圖案或交錯圖案布置，并電結合到所述非易失性存儲器裝置的單一的選擇柵極線，

其中，所述位線方向垂直于所述單一的選擇柵極線的方向。

10.一種垂直NAND存儲器裝置，所述垂直NAND存儲器裝置包括：

基底；

多個直接相鄰的偏移的垂直NAND溝道，電結合到所述垂直NAND存儲器裝置的單一選擇柵極線并從所述基底向上延伸，

其中，所述多個直接相鄰的偏移的垂直NAND溝道以沿垂直于位線方向的方向延伸的Z字形圖案或交錯圖案布置，

其中，在溝道為圓形或圓柱形且所述溝道的寬度為F的情況下，從頂部觀看的一個溝道的有效面積不小于4F²且小于6F²。