[發明專利]一種新型電池片的制備方法

無效

• 申請號: 201410299409.8
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN104103714A
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發明（設計）人: 王成;蔣方丹;金浩;郭俊華;陳康平
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 吳關炳

1.一種新型電池片的制備方法，包括清洗制絨步驟、擴散制結步驟、刻蝕并去除PSG步驟、鍍膜步驟、絲網印刷步驟、燒結步驟和分檢步驟，其特征在于：所述鍍膜步驟分為兩次，第一次在刻蝕并去除PSG步驟后鍍一層氧化硅膜層，采用的反應氣體為N₂O和SiH₄，氣體流量分別為9000sccm和300sccm，所述氧化硅膜層的厚度為20～30nm，折射率為1.8；第二次在燒結步驟后鍍氮化硅膜層，采用的反應氣體為NH₃和SiH₄，氣體流量分別為7000sccm?和700sccm，所述氮化硅膜層的厚度為70～80nm，折射率為2.0～2.1。

2.如權利要求1所述的一種新型電池片的制備方法，其特征在于：所述的氮化硅膜層為單層膜或雙層膜或三層膜，所述單層氮化硅膜層的厚度為70～80nm；所述雙層氮化硅膜層的第一層厚度為30～40nm，第二層厚度為40～50nm；所述三層氮化硅膜層的第一層厚度為20～30nm，第二層厚度為30～40nm，第二層厚度為10～20nm。