[發明專利]陣列基板制作方法

在審

• 申請號: 201410295139.3
• 申請日: 2014-06-25
• 公開（公告）號: CN104103584A
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發明（設計）人: 劉翔
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L29/786
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板制作方法。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場中占據了主導地位。

近年來TFT-LCD獲得了飛速的發展，其顯示性能不斷地提升。隨著能源的日益緊張，世界人民都在想法設法降低電子產品的功耗，平板顯示也不例外，要求不斷地降低功耗。各大液晶面板廠商也在通過改善產品設計及工藝不斷地降低功耗，以滿足能源之星的標準的需求。

金屬氧化物TFT是最近幾年新興的技術，開態電流大、遷移率高，均一性好，透明，制作工藝簡單，可以更好地滿足大尺寸液晶顯示器和有源有機電致發光的需求，備受人們的關注。金屬氧化物TFT的開態電流是非晶硅TFT的50倍以上，關態電流一般在10^﹣11A到10^﹣12A之間。為了降低液晶顯示面板的功耗，在靜態畫面時采用低刷新頻率，可以大幅減少功耗。但是以目前的關態電流(也稱：漏電流)在低頻下，如1Hz時不能保持加在液晶顯示像素的電壓，所以必須降低關態電流，使關態電流在10^﹣13以下。

發明內容

(一)要解決的技術問題

本發明要解決的技術問題是：如何降低TFT的關態電流，以在低刷新頻率下，TFT能夠保持加在液晶顯示像素的電壓。

(二)技術方案

為解決上述技術問題，本發明提供了一種陣列基板制作方法，包括如下步驟：

在襯底基板上形成包括隔離層和金屬氧化物半導體層的圖形；

形成包括柵絕緣層及柵極的圖形；

以所述柵極為遮擋對所述金屬氧化物半導體層的非柵極對應區域進行摻雜，以形成接觸電阻區；

形成包括第一絕緣間隔層及其上的第一過孔和第二過孔的圖形，以暴露出用于源極和漏極與接觸電阻區連接的區域；

形成包括源極、漏極、第二絕緣間隔層和像素電極的圖形。

其中，所述摻雜的離子注入劑量為10¹⁵/cm²～10¹⁶/cm²。

其中，所述摻雜的離子能量為30keV～100keV。

其中，在進行摻雜之后，形成第一絕緣間隔層之前還包括對所述接觸電阻區進行退火工藝處理。

其中，所述退火工藝的退火溫度為350℃～500℃。

其中，在形成所述第一過孔和第二過孔之后，形成源極和漏極之前，還包括：對所述第一過孔和第二過孔進行等離子體處理，以降低所述源極和漏極與接觸電阻區連接的區域的接觸電阻。

(三)有益效果

本發明的陣列基板制作方法中，通過對金屬氧化物半導體層進行摻雜，形成接觸電阻區，從而降低了TFT的關態電流，使得在低刷新頻率下，TFT仍然能夠保持加在液晶顯示像素的電壓。

附圖說明

圖1是本發明實施例的陣列基板制作方法中形成隔離層和金屬氧化物半導體層的結構示意圖；

圖2是在圖1的基礎上形成柵絕緣層和柵極后的結構示意圖；

圖3是在圖2的基礎上對金屬氧化物半導體層進行摻雜后的示意圖；

圖4是在圖3的基礎上形成第一絕緣間隔層及其上的過孔的示意圖；

圖5是在圖4的基礎上形成源極和漏極的結構示意圖；

圖6是在圖5的基礎上形成第二絕緣間隔層及其上過孔的示意圖；

圖7是在圖6的基礎上形成像素電極的示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例，對本發明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發明，但不用來限制本發明的范圍。

本實施例的陣列基板制作方法如圖1～7所示，包括如下步驟：