[發明專利]一種射頻開關組件

有效

• 申請號: 201410292997.2
• 申請日: 2014-06-25
• 公開（公告）號: CN104079275A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 馬曉剛;張繼英
• 申請（專利權）人: 北京七星華創電子股份有限公司
• 主分類號: H03K17/56
• 分類號: H03K17/56
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 郝瑞剛

技術領域

本發明涉及開關組件技術領域，更具體涉及一種射頻開關組件。

背景技術

收發開關組件廣泛應用于民用、軍用及特殊領域中，它是無線通信中必不可少的關鍵部件；目前主要實現方式還是以分立元件的形式實現，這就造成了收發組件體積大、功耗大、使用不方便等不利因素。

傳統的收發開關一般采用PIN管串/并聯結構，其實現原理圖如圖1所示，其工作原理為PIN1、PIN2為串聯發支路的開關，PIN5、PIN6為并聯到地發支路的開關；PIN3、PIN4為串聯收支路的開關，PIN7、PIN8為并聯到地收支路的開關；當信號發射時PIN1、PIN2導通，PIN5、PIN6截止，同時收支路中PIN3、PIN4截止，PIN7、PIN8導通將泄露信號導通到地，從而可以提高射頻開關的隔離度。結合圖1的電路結構可以看出,傳統的收發開關電路采用PIN管實現,其開關隔離度主要由PIN管的截止時的電路參數決定,一般在20dBc,隔離度不高。其次這種電路實現結構復雜,且電路工作還需要較復雜的驅動電路，這就造成收發開關組件體積大、功耗大，不能與其它功能模塊集成。

發明內容

(一)要解決的技術問題

本發明要解決的技術問題是如何提高開關組件的隔離度，同時簡化電路結構。

(二)技術方案

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種射頻開關組件，所述一種射頻開關組件包括發射通道11、接收通道22、接地通道44以及接地通道55；所述通道11包括NMOS管M1以及電感L1；所述接收通道22包括NMOS管M3以及電感L3；所述接地通道44包括NMOS管M2以及電感L2；所述接地通道55包括NMOS管M4以及電感L4；

所述NMOS管M1的漏極以及所述NMOS管M2的漏極均與發射端連接，所述NMOS管M1的柵極以及所述NMOS管M4的柵極均與控制電壓Vct1連接；所述NMOS管M1的源極以及所述NMOS管M3的源極均與公共端33連接；所述公共端33連接天線；所述電感L1并聯在所述NMOS管M1的兩端；所述NMOS管M3的柵極以及所述NMOS管M2的柵極均與所述控制電壓Vct2連接；所述NMOS管M3的漏極以及所述NMOS管M4的漏極均與接收端連接；所述電感L3并聯在所述NMOS管M3的兩端；所述NMOS管M4的源極以及所述NMOS管M2的源極均接地；所述電感L2并聯在所述NMOS管M2的兩端；所述電感L4并聯在所述NMOS管M4的兩端。

優選地，所述控制電壓Vct2與控制電壓Vct1相位相反。

優選地，所述電感L1、L2、L3、L4均為蛇形電感。

(三)有益效果

本發明提供了一種射頻開關組件，通過在NMOS管上并聯電感，使電感與NMOS射頻開關的等效寄生電容形成并聯諧振，從而大大提高了射頻鏈路之間的隔離度，另外，該電路結構簡單，功耗小、電路集成度高。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為傳統的收發開關的電路結構示意圖；

圖2為本發明的一種射頻開關組件的電路結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發明，但不能用來限制本發明的范圍。

圖2為本發明的一種射頻開關組件的電路結構示意圖；所述一種射頻開關組件包括發射通道11、接收通道22、接地通道44以及接地通道55；所述通道11包括NMOS管M1以及電感L1；所述接收通道22包括NMOS管M3以及電感L3；所述接地通道44包括NMOS管M2以及電感L2；所述接地通道55包括NMOS管M4以及電感L4。