[發(fā)明專利]一種射頻開關(guān)組件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410292997.2 | 申請日： | 2014-06-25 |
| 公開（公告）號： | CN104079275A | 公開（公告）日： | 2014-10-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馬曉剛;張繼英 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/56 | 分類號： | H03K17/56 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人： | 郝瑞剛 |
| 地址： | 100015 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 射頻 開關(guān) 組件 | ||
1.一種射頻開關(guān)組件，其特征在于，所述一種射頻開關(guān)組件包括發(fā)射通道(11)、接收通道(22)、接地通道(44)以及接地通道(55)；所述通道(11)包括NMOS管M1以及電感L1；所述接收通道(22)包括NMOS管M3以及電感L3；所述接地通道(44)包括NMOS管M2以及電感L2；所述接地通道(55)包括NMOS管M4以及電感L4；
所述NMOS管M1的漏極以及所述NMOS管M2的漏極均與發(fā)射端連接，所述NMOS管M1的柵極以及所述NMOS管M4的柵極均與控制電壓Vct1連接；所述NMOS管M1的源極以及所述NMOS管M3的源極均與公共端(33)連接；所述公共端(33)連接天線；所述電感L1并聯(lián)在所述NMOS管M1的兩端；所述NMOS管M3的柵極以及所述NMOS管M2的柵極均與所述控制電壓Vct2連接；所述NMOS管M3的漏極以及所述NMOS管M4的漏極均與接收端連接；所述電感L3并聯(lián)在所述NMOS管M3的兩端；所述NMOS管M4的源極以及所述NMOS管M2的源極均接地；所述電感L2并聯(lián)在所述NMOS管M2的兩端；所述電感L4并聯(lián)在所述NMOS管M4的兩端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種射頻開關(guān)組件，其特征在于，所述控制電壓Vct2與控制電壓Vct1相位相反。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種射頻開關(guān)組件，其特征在于，所述電感L1、L2、L3、L4均為蛇形電感。
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