[發明專利]一種半導體研磨劑

在審

• 申請號: 201410291896.3
• 申請日: 2014-06-26
• 公開（公告）號: CN104046321A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 范向奎
• 申請（專利權）人: 青島寶泰新能源科技有限公司
• 主分類號: C09K3/14
• 分類號: C09K3/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種半導體研磨劑。

背景技術

在半導體芯片的加工制造過程中，隨著采用嵌入式(damascene)工序(一種費用相當便宜且能在硅芯片上建立更密集的元器件結構的工序)的逐步普及，對芯片中的金屬導線進行化學機械研磨(CMP，chemical?mechanical?planarization)拋光亦變得必不可少。鎢以其極好的對通孔和溝槽的填充性能、低的電子遷移和電阻以及優異的耐腐蝕性，被廣泛地用于半導體芯片加工制造的工藝過程中。如作為金屬觸點、通孔導線和層間互連線等。傳統上，鎢可以采用等離子體的方法刻蝕，稱作鎢回蝕。不過，鎢回蝕是一種成本高且會造成較大環境污染的工藝。與此相反，鎢的C如:1p工藝，在成本和環保兩方面要好得多。尤其重要的是，采用CMP的鎢拋光方法，有助于提高嵌入式工序對芯片的配線密度，進而獲得更高的芯片性能。因此，在半導體制造業中，鎢CMP己迅速成為一種被廣泛使用的技術。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種半導體研磨劑。

為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是：

一種半導體研磨劑，其特征在于，包括下列重量份數的物質：磷酸二氫鉀1-7份，硫酸鉀9-17份，聚乙烯醇11-14份，二氧化硅1-2，酸洗劑3-9份，三乙胺4-13份，酒石酸5-9份，苯甲酸甲酯6-7份，硫酸鋅1-3份，硫酸鎂2-4份，研磨粒子3-8份，雙酚A型聚碳酸酯11-18份，硬脂酸鈣3-8份，分散劑1份。

本發明半導體芯片化學機械研磨劑具備了較小的介質層磨損率和較低的腐蝕度，可以促進研磨粒子的穩定性，保持極高的鎢去除速率。由于相對降低了機械力的作用強度，凹坑、腐蝕和介質層的損耗等問題也減小了。

具體實施方式

實施例1

一種半導體研磨劑，其特征在于，包括下列重量份數的物質：磷酸二氫鉀1-7份，硫酸鉀9-17份，聚乙烯醇11-14份，二氧化硅1-2，酸洗劑3-9份，三乙胺4-13份，酒石酸5-9份，苯甲酸甲酯6-7份，硫酸鋅1-3份，硫酸鎂2-4份，研磨粒子3-8份，雙酚A型聚碳酸酯11-18份，硬脂酸鈣3-8份，分散劑1份。