[發(fā)明專利]一種ZnO量子阱微腔結(jié)構(gòu)的激子極化激元激光器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410291731.6
• 申請(qǐng)日: 2014-06-26
• 公開（公告）號(hào): CN104092097B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宿世臣;張紅艷;趙靈智;何苗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華南師范大學(xué)
• 主分類號(hào): H01S5/347
• 分類號(hào): H01S5/347;H01S5/125
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司44102
• 代理人: 邱奕才,汪曉東

1.一種ZnO量子阱微腔結(jié)構(gòu)的激子極化激元激光器件，其特征在于，所述ZnO量子阱微腔結(jié)構(gòu)包括ZnO/Zn_1-xMg_xO 單量子阱有源層，位于ZnO/Zn_1-xMg_xO單量子阱有源層下方的多層 Al_1-yGa_yN/Al_yGa_1-yN 分布布拉格反射鏡結(jié)構(gòu)層，以及位于ZnO/Zn_1-xMg_xO 單量子阱有源層上方的多層 SiO₂/Si₃N₄ 分布布拉格反射鏡結(jié)構(gòu)層，所述ZnO為阱層，所述Zn_1-xMg_xO為勢壘層；

所述Al_1-yGa_yN層厚度為38~41nm，Al_yGa_1-yN層厚度為 44~47 nm；

所述有源層中阱層ZnO厚度為4~8nm，勢壘層Zn_1-xMg_xO厚度為35~45nm；

所述SiO₂層厚度為40~50nm，Si₃N₄層厚度為60~70nm；

所述x為0.25，所述y為0.8。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種ZnO量子阱微腔結(jié)構(gòu)的激子極化激元激光器件，其特征在于，所述Al_1-yGa_yN層折射率為2.08~2.47，Al_yGa_1-yN層折射率為 2.08~2.47。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種ZnO量子阱微腔結(jié)構(gòu)的激子極化激元激光器件，其特征在于，所述有源層中阱層ZnO折射率為2.3~2.5，勢壘層Zn_1-xMg_xO折射率為2.2~2.4。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種ZnO量子阱微腔結(jié)構(gòu)的激子極化激元激光器件，其特征在于，所述SiO₂層折射率為2.0~2.1，Si₃N₄層折射率為1.40~1.50。

5.根據(jù)權(quán)利要求1~4任一項(xiàng)所述的一種ZnO量子阱微腔結(jié)構(gòu)的激子極化激元激光器件，其特征在于，采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法外延30~100周期的Al_1-yGa_yN/Al_yGa_1-yN第一分布布拉格反射鏡，在Al_1-yGa_yN/Al_yGa_1-yN第一分布布拉格反射鏡上用脈沖激光沉積法生長ZnO/Zn_1-xMg_xO單量子阱，在ZnO/Zn_1-xMg_xO單量子阱上用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法生長10~30周期的SiO₂/Si₃N₄第二分布布拉格反射鏡。