[發(fā)明專利]光學單元在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410291461.9 | 申請日： | 2014-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN104253183A | 公開（公告）日： | 2014-12-31 |
| 發(fā)明（設計）人： | R.菲克斯;P.松斯特勒姆;M.克奈斯爾;M.韋耶斯 | 申請（專利權）人： | 羅伯特·博世有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/10 | 分類號： | H01L33/10;H01L33/46;G02B5/20;G01N21/31 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 盧江;胡莉莉 |
| 地址： | 德國斯*** | 國省代碼： | 德國;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光學 單元 | ||
1.光學單元（4），具有至少一個被設立用于電致發(fā)光的光學半導體器件（16）單元，利用所述光學半導體器件能產生圍繞輻射最大值分布的電磁輻射，其特征在于至少一個被布置在所述電磁輻射的光路中的短通邊緣濾波器，所述短通邊緣濾波器的極限波長（λlow-pass）比所述輻射最大值的波長（λpeak）大能預先給定的數值。
2.根據權利要求1所述的光學單元（4），其特征在于，所述短通邊緣濾波器被集成到所述光學半導體器件（16）中。
3.根據權利要求1所述的光學單元（4），其特征在于，所述短通邊緣濾波器被布置在所述光學單元（4）的另外的光學元件處。
4.根據上述權利要求之一所述的光學單元（4），其特征在于，所述短通邊緣濾波器被構造為吸收濾波器、反射濾波器或法布里-珀羅干涉儀。
5.根據上述權利要求之一所述的光學單元（4），其特征在于，所述短通邊緣濾波器的極限波長（λlow-pass）比以下的波長小，所述波長大于所述輻射最大值的波長（λpeak）并且在所述波長處由所述光學半導體器件（16）所產生的電磁輻射的輻射強度下降到所述輻射最大值的輻射強度的一半。
6.根據上述權利要求之一所述的光學單元（4），其特征在于至少一個被布置在所述電磁輻射的光路中的長通邊緣濾波器，所述長通邊緣濾波器的極限波長（λcut-off）比所述輻射最大值的波長（λpeak）小能預先給定的數值。
7.根據權利要求5所述的光學單元（4），其特征在于，所述長通邊緣濾波器被集成到所述光學半導體器件（16）中。
8.根據權利要求5所述的光學單元（4），其特征在于，所述長通邊緣濾波器被布置在所述光學單元（4）的另外的光學元件處。
9.根據權利要求5到7之一所述的光學單元（4），其特征在于，所述長通邊緣濾波器被構造為吸收濾波器、反射濾波器或法布里-珀羅干涉儀。
10.根據權利要求5到8之一所述的光學單元（4），其特征在于，所述長通邊緣濾波器的極限波長（λcut-off）比以下的波長大，所述波長小于所述輻射最大值的波長（λpeak）并且在所述波長處由所述光學半導體器件（16）所產生的電磁輻射的輻射強度下降到所述輻射最大值的輻射強度的一半。
11.根據上述權利要求之一所述的光學單元（4），其特征在于，所述光學半導體器件（16）產生UVC范圍內的電磁輻射。
12.用于探測流體（21）中的至少一種物質的系統(tǒng)（17），具有至少一個發(fā)射電磁輻射的光學單元（4）和至少一個光學探測單元（18），其特征在于，所述光學單元（4）根據上述權利要求之一來構造。
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