[發(fā)明專利]磁屏蔽、半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體封裝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410291292.9
• 申請(qǐng)日: 2014-06-25
• 公開（公告）號(hào): CN104253209B
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鈴木哲廣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L43/08
• 分類號(hào): H01L43/08;G11C11/16;B82Y25/00
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

本發(fā)明涉及磁屏蔽、半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體封裝。提供一種提高了對(duì)外部磁場(chǎng)的屏蔽特性的磁屏蔽。磁屏蔽MS1具有面內(nèi)磁化作為剩余磁化，并適于通過(guò)在磁場(chǎng)垂直方向上向磁屏蔽施加磁場(chǎng)以產(chǎn)生磁化方向上的垂直分量。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

2013年6月25日提交的日本專利申請(qǐng)No.2013-132750，包括說(shuō)明書、附圖和摘要，通關(guān)引用整體并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及磁屏蔽、半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體封裝，更具體地，涉及一種包括磁阻存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體器件和在其中的半導(dǎo)體封裝。

背景技術(shù)

當(dāng)前，磁阻存儲(chǔ)器(MRAM(磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器))日益發(fā)展。關(guān)于磁阻存儲(chǔ)器的技術(shù)，例如，包括專利文獻(xiàn)1至3中公開的技術(shù)。

專利文獻(xiàn)1和2涉及關(guān)于磁阻存儲(chǔ)器的技術(shù)，其中利用自旋注入來(lái)反轉(zhuǎn)自由層的磁化方向。如上述專利文獻(xiàn)任意一個(gè)所公開的，垂直各向異性應(yīng)用于自由層。專利文獻(xiàn)3公開了一種非易失性固態(tài)磁性存儲(chǔ)器件，其具有磁屏蔽結(jié)構(gòu)，用來(lái)屏蔽MRAM芯片免受外部散射磁場(chǎng)的影響。

相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

[專利文獻(xiàn)1]日本未審查專利申請(qǐng)公布(PCT申請(qǐng)翻譯)No.2007-525847

[專利文獻(xiàn)2]美國(guó)專利申請(qǐng)No.2005/0104101

[專利文獻(xiàn)3]日本未審查專利公布No.2003-115578

發(fā)明內(nèi)容

一些磁阻存儲(chǔ)器被磁屏蔽覆蓋，以抑制外部磁場(chǎng)對(duì)磁阻存儲(chǔ)器的影響。然而，在這種磁屏蔽中，在其垂直方向上磁化的變化受到作用于磁屏蔽厚度方向上的反磁場(chǎng)的影響而中斷，這使得很難實(shí)現(xiàn)垂直方向上相對(duì)外部磁場(chǎng)的充足的磁導(dǎo)率。在這種情況下，磁屏蔽幾乎不能實(shí)現(xiàn)對(duì)垂直外部磁場(chǎng)的充分的屏蔽特性。

結(jié)合附圖，在下面的詳細(xì)描述中將澄清本發(fā)明的其它問(wèn)題和新特征。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，磁屏蔽具有面內(nèi)磁化作為剩余磁化，并且將垂直磁各向異性賦予磁屏蔽。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，磁屏蔽能夠提高其對(duì)外部磁場(chǎng)的屏蔽特性。

附圖說(shuō)明

圖1是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的磁阻存儲(chǔ)器和磁屏蔽的示例性截面圖；

圖2是用于說(shuō)明磁屏蔽內(nèi)磁化的變化的示例性截面圖；

圖3是示例性示出垂直外部磁場(chǎng)和通過(guò)外部磁場(chǎng)在磁屏蔽內(nèi)產(chǎn)生的垂直磁化分量之間關(guān)系的曲線圖；

圖4是示出一個(gè)實(shí)施例中的磁屏蔽的一個(gè)示例的示例性截面圖；

圖5A和5B是示出圖4中所示的磁屏蔽的改進(jìn)例的示意性截面圖；

圖6A和圖6B是示出一個(gè)實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件的示例性截面圖；

圖7是示出一個(gè)實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的示例性截面圖；

圖8是示出圖7中所示的半導(dǎo)體封裝中的半導(dǎo)體芯片和磁屏蔽之間的位置關(guān)系的示例性平面圖；和

圖9是示出圖7中所示的半導(dǎo)體封裝的改進(jìn)例的示例性截面圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參考附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。只要有可能，將貫穿所有圖使用相同的附圖標(biāo)記，以指示相同或相似的部分，并由此將在下文省略它們的描述。

圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的磁阻存儲(chǔ)器MM1和磁屏蔽MS1的示例性截面圖。圖1示例性示出了磁阻存儲(chǔ)器MM1和磁屏蔽MS1之間的位置關(guān)系。