[發明專利]靜電保護電路、光電裝置及電子設備

有效

• 申請號: 201410289444.1
• 申請日: 2014-06-25
• 公開（公告）號: CN104280955B
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 曾我部英德;吉井榮仁
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 陳海紅;段承恩

本發明提供更強地抑制靜電影響的靜電保護電路、光電裝置及電子設備。本發明涉及的靜電保護電路，其特征為：在第1布線(321)，電連接有第1p型晶體管(310a)的漏(315a)和第1n型晶體管(330a)的柵(333a)及源(334a)；在第2布線(322)，電連接有第1p型晶體管(310a)的柵(313a)及源(314a)、第1n型晶體管(330a)的漏(335a)、第2p型晶體管(310b)的漏(315b)和第2n型晶體管(330b)的柵(330b)及源(334b)；在第3布線(323)，電連接有第2p型晶體管(310b)的柵(313b)及源(314b)和第2n型晶體管(330b)的漏(335b)。

技術領域

本發明涉及靜電保護電路、搭載有該靜電保護電路的光電裝置及搭載有該光電裝置的電子設備。

背景技術

在作為光電裝置的有源驅動型液晶裝置中，具有對光進行調制的像素和對該像素進行驅動的半導體電路(掃描線驅動電路、數據線驅動電路等)等。在該液晶裝置中，構成像素和半導體電路的晶體管由于靜電會受到不可恢復的靜電損壞，對靜電的影響進行抑制的靜電對策是重要的。例如，在專利文獻1中就提出了設置有靜電保護電路的液晶裝置。

圖16是記載于專利文獻1的靜電保護電路的電路圖。如圖16所示，記載于專利文獻1的靜電保護電路500具有p型晶體管504和n型晶體管505。p型晶體管504的源及柵連接于高電位布線502、被供給電位VH。n型晶體管505的源及柵連接于低電位布線503、被供給比電位VH低電位的電位VL。p型晶體管504的漏及n型晶體管505漏連接于信號布線501。

在信號布線501的電位處于VL～VH的范圍的情況下，p型晶體管504及n型晶體管505處于截止狀態，信號布線501、高電位布線502及低電位布線503不會構成電子干擾，液晶裝置正常地工作。若由于靜電、信號布線501的電位從VL～VH的范圍脫離，則p型晶體管504和n型晶體管505中的某一方成為導通狀態(ON狀態)。例如，若由于靜電、信號布線501的電位變得比VH高，則p型晶體管504成為導通狀態。若由于靜電、信號布線501的電位變得比VL低，則n型晶體管505成為導通狀態。這樣，若由于靜電、信號布線501的電位變化，則高電位布線502或低電位布線503的任一個與信號布線501成為聯通狀態。而且，由于靜電而施加于信號布線501的電荷分配到成了導通狀態的高電位布線502或低電位布線503的任一側，由于靜電引起的信號布線501的電位變化變小。因為由于靜電引起的信號布線501的電位變化變小，所以，在連接于信號布線501的半導體電路中難以產生不可恢復的靜電損壞(靜電擊穿)。

專利文獻1：日本特開2006-18165號公報

如上所述，在記載于專利文獻1的靜電保護電路500中，若由于靜電而對信號布線501施加正電荷，則p型晶體管504成為導通狀態，施加于信號布線501的正電荷經由p型晶體管504而被分配(放電)到高電位布線502側，由于靜電引起的信號布線501的電位變化變小。可是，p型晶體管504的載流子(空穴)的遷移率比n型晶體管505的載流子(電子)的遷移率小，與n型晶體管505相比，在p型晶體管504中電流(電荷)難以流動。因此，若由于靜電而對信號布線501施加大量的正電荷，則不會經由p型晶體管504充分地分配(放電)到高電位布線502側，由于靜電引起的信號布線501的電位變化變大，有可能在連接于信號布線501的半導體電路和/或非導通狀態的n型晶體管505等產生不可恢復的靜電損壞(靜電擊穿)。

發明內容

本發明是用于解決上述問題的至少一部分而作出的，能夠作為以下的方式或應用例來實現。