[發(fā)明專利]基板的封裝方法及封裝結構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410284825.0 | 申請日: | 2014-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN104022145B | 公開(公告)日: | 2017-01-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳林豆;史凱 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產(chǎn)權代理事務所44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 方法 結構 | ||
1.一種基板的封裝方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟1、提供基板(1)及封裝板(3),所述封裝板(3)具有一涂膠面(31);
步驟2、所述封裝板(3)于涂膠面(31)上欲形成膠框(5)的涂布路徑上設置至少一個凹槽(311);
步驟3、在封裝板(3)的涂膠面(31)上涂布密封膠(50)形成連續(xù)膠框(5),該膠框(5)對應該至少一個凹槽(311)形成凹陷(51);
步驟4、在封裝板(3)的涂膠面(31)上于膠框(5)所圍區(qū)域內設置填充膠(70);
步驟5、將基板(1)與封裝板(3)相對貼合,基板(1)與封裝板(3)之間于膠框(5)的凹陷(51)位置形成氣體通道(20);
步驟6、經(jīng)由氣體通道(20)抽出基板(1)與封裝板(3)之間的空氣;
步驟7、壓合基板(1)和封裝板(3);
步驟8、使用UV光源對密封膠(50)及填充膠(70)進行照射使其固化,從而實現(xiàn)封裝板(1)對基板(3)的封裝。
2.如權利要求1所述的基板的封裝方法,其特征在于,所述基板(1)為具有OLED器件的TFT基板。
3.如權利要求1所述的基板的封裝方法,其特征在于,所述步驟2中欲形成的膠框(5)包括內膠框(53)與外膠框(55),所述封裝板(3)于涂膠面(31)上欲形成內與外膠框(53、55)的涂布路徑上分別設置至少一個凹槽(311)。
4.如權利要求3所述的基板的封裝方法,其特征在于,所述位于欲形成內膠框(53)的涂布路徑上的凹槽(311)與位于欲形成外膠框(55)的涂布路徑上的凹槽(311)對齊。
5.如權利要求4所述的基板的封裝方法,其特征在于,所述位于欲形成內膠框(53)的涂布路徑上的凹槽(311)與位于欲形成外膠框(55)的涂布路徑上的凹槽(311)分別為四個。
6.如權利要求1所述的基板的封裝方法,其特征在于,所述步驟3中封裝板(3)的凹槽(311)處的膠框(5)厚度與非凹槽處的膠框(5)厚度相同。
7.如權利要求1所述的基板的封裝方法,其特征在于,所述步驟3中位于凹槽(311)最低位置處的膠框(5)的頂點到封裝板(3)涂膠面(31)的垂直距離d大于步驟7壓合后膠框(5)的厚度。
8.如權利要求1所述的基板的封裝方法,其特征在于,所述步驟4設置填充膠(70)采用滴注的方式,該填充膠(70)與位于凹槽(311)的膠框(5)的內邊緣保持一安全距離使得在步驟7的壓合過程中填充膠(70)不會從凹槽(311)溢出。
9.如權利要求1所述的基板的封裝方法,其特征在于,所述密封膠(50)為UV膠,所述填充膠(70)為液態(tài)透明干燥劑,所述步驟7壓合后位于凹槽(311)內的膠框(5)的寬度大于2mm。
10.一種封裝結構,其特征在于,包括:基板(1)、封裝板(3)及設于基板(1)與封裝板(3)之間的由密封膠(50)形成的膠框(5)及填充膠(70),所述填充膠(70)位于膠框(5)內側,所述封裝板(3)具有一涂膠面(31),所述封裝板(3)于涂膠面(31)上對應膠框(5)的涂布路徑上設置至少一個凹槽(311)。
11.如權利要求10所述的封裝結構,其特征在于,所述基板(1)為具有OLED器件的TFT基板;所述膠框(5)包括內膠框(53)與外膠框(55),所述封裝板(3)于涂膠面(31)上對應內與外膠框(53、55)的涂布路徑上分別設置至少一個凹槽(311),且所述位于內膠框(53)的涂布路徑上的凹槽(311)與位于所述外膠框(55)的涂布路徑上的凹槽(311)對齊。
12.如權利要求10所述的封裝結構,其特征在于,所述密封膠(50)為UV膠,所述填充膠(70)為液態(tài)透明干燥劑,位于凹槽(311)內的膠框(5)的寬度大于2mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





