[發明專利]一種高性能低漏電流功耗異步電路C單元有效
| 申請號： | 201410282551.1 | 申請日： | 2014-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN104113324B | 公開（公告）日： | 2017-03-15 |
| 發明（設計）人： | 鄔楊波;董恒鋒;范曉慧;楊金龍 | 申請（專利權）人： | 寧波大學 |
| 主分類號： | H03K19/0948 | 分類號： | H03K19/0948 |
| 代理公司： | 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙)33226 | 代理人： | 方小惠 |
| 地址： | 315211 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 性能 漏電 功耗 異步 電路 單元 | ||
1.一種高性能低漏功耗異步電路C單元，其特征在于包括PMOS上拉單元、NMOS下拉單元、NMOS管功控開關、信號傳輸門和信號存儲單元：
所述的PMOS上拉單元包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述的第一PMOS管的漏極與所述的第二PMOS管的源極連接，所述的第一PMOS管的源極為所述的PMOS上拉單元的電源端，所述的第一PMOS管的柵極為所述的PMOS上拉單元的第一信號輸入端，所述的第二PMOS管的柵極為所述的PMOS上拉單元的第二信號輸入端，所述的第二PMOS管的漏極為所述的PMOS上拉單元的信號輸出端；
所述的NMOS下拉單元包括第一NMOS管和第二NMOS管，所述的第一NMOS管的漏極與所述的第二NMOS管的漏極連接，所述的第一NMOS管的柵極為所述的NMOS下拉單元的第一信號輸入端，所述的第二NMOS管的柵極為所述的NMOS下拉單元的第二信號輸入端，所述的第一NMOS管的源極與所述的PMOS上拉單元的信號輸出端連接；
所述的NMOS管功控開關包括第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管；
所述的信號傳輸門包括第一反相器，所述的信號存儲單元包括第二反相器和第三反相器，所述的第一反相器包括第三PMOS管和第六NMOS管，所述的第三PMOS管的源極為所述的第一反相器的電源端，所述的第三PMOS管的漏極與所述的第六NMOS管的漏極連接且兩者的連接端為所述的第一反相器的信號輸出端，所述的第三PMOS管的柵極與所述的第六NMOS管的柵極連接且兩者的連接端為所述的第一反相器的信號輸入端，所述的第六NMOS管的源極為所述的第一反相器的接地端，所述的第二反相器和所述的第三反相器的電路結構與所述的第一反相器相同；
所述的第二NMOS管的源極、所述的第五NMOS管的漏極和所述的第一反相器的接地端連接，所述的第五NMOS管的源極接地，所述的第二反相器的信號輸入端、所述的第三反相器的信號輸出端和所述的第三NMOS管的源極連接，所述的第三NMOS管的漏極、所述的第一反相器的信號輸入端和所述的PMOS上拉單元的信號輸出端連接，所述的第二反相器的信號輸出端、所述的第三反相器的信號輸入端和所述的第四NMOS管的源極連接，所述的第四NMOS管的漏極和所述的第一反相器的信號輸出端連接且兩者的連接端為所述的C單元的信號輸出端，所述的PMOS上拉單元的第一信號輸入端與所述的NMOS下拉單元的第二信號輸入端連接且兩者的連接端為C單元的第一信號輸入端，所述的PMOS上拉單元的第二信號輸入端與所述的NMOS下拉單元的第一信號輸入端連接且兩者的連接端為C單元的第二信號輸入端；
所述的第三NMOS管的柵極、所述的第四NMOS管的柵極和所述的第五NMOS管的柵極均接入睡眠信號；
所述的第一PMOS管、所述的第二PMOS管和所述的第三PMOS管均為低閾值PMOS管且三者的閾值電壓均為-0.4118V，所述的第一NMOS管、所述的第二NMOS管和所述的第六NMOS管均為低閾值NMOS管且三者的閾值電壓均為0.466V，所述的第三NMOS管、所述的第四NMOS管和所述的第五NMOS管均為高閾值NMOS管且三者的閾值電壓均為0.853V。
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