[發明專利]低溫多晶硅薄膜晶體管、其制備方法及陣列基板與顯示裝置

有效

• 申請號: 201410280920.3
• 申請日: 2014-06-20
• 公開（公告）號: CN104078621A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 白妮妮;張琨鵬;康峰;高鵬飛;韓帥;劉宇
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管，包括依次在基板上形成的緩沖層和有源層，其特征在于：還包括在所述的有源層上形成的絕熱保溫層。

2.根據權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于：所述有源層的邊緣未被絕熱保溫層覆蓋。

3.根據權利要求2所述的低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于：未被絕熱保溫層覆蓋的所述有源層的邊緣寬度為不大于有源層寬度的1/4。

4.根據權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于：所述絕熱保溫層的厚度為

5.根據權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于：所述絕熱保溫層的材料包括氮化硅或氧化硅。

6.根據權利要求1-5任一項所述的低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于：還包括在所述絕熱保溫層的上方依次形成的柵絕緣層、柵電極、層間絕緣層，以及源電極和漏電極，所述源電極和漏電極分別通過貫穿層間絕緣層、柵絕緣層及絕熱保溫層的過孔與所述有源層的兩端連接。

7.一種用于制備如權利要求1-6任一項所述低溫多晶硅薄膜晶體管的方法，其特征在于：提供一基板，在基板上形成緩沖層；通過構圖工藝在緩沖層上形成有源層；在所述的有源層上形成絕熱保溫層。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于：所述有源層的邊緣未被絕熱保溫層覆蓋。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于：未被絕熱保溫層覆蓋的所述有源層的邊緣寬度為不大于有源層寬度的1/4。

10.根據權利要求7所述的方法，其特征在于：還包括在所述絕熱保溫層的上方沉積柵絕緣層；在所述柵絕緣層上方形成柵金屬薄膜，通過構圖工藝形成柵電極的圖案，并對所述有源層兩端的區域進行摻雜處理以形成離子摻雜區；在所述柵電極上方形成層間絕緣層，并通過構圖工藝形成貫穿所述絕熱保溫層、柵絕緣層和層間絕緣層的絕緣層過孔，從而露出所述有源層兩端的離子摻雜區；在所述層間絕緣層上方形成源漏金屬薄膜，并通過構圖工藝形成源電極和漏電極，所述源電極和漏電極分別通過所述絕緣層過孔與所述有源層兩端的離子摻雜區連接。

11.一種陣列基板，其特征在于，包含權利要求1-6任一項所述的低溫多晶硅薄膜晶體管。

12.一種顯示裝置，其特征在于：包含權利要求11所述的陣列基板。