[發(fā)明專(zhuān)利]一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410277308.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-06-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104052318B | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-04-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林國(guó)強(qiáng);李強(qiáng);錢(qián)立平;韓治昀;鄒瑞洵 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 大連理工常州研究院有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H02M7/219 | 分類(lèi)號(hào): | H02M7/219 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 213164 江蘇省常*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電壓 三相 輸入 升降 dc 電源 裝置 | ||
1.一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置,其特征是:三相電(1)輸入至三相可控硅移相控制倍壓整流電路(2),然后輸出至負(fù)載(5);所述三相可控硅移相控制倍壓整流電路由移相控制電路裝置(9)控制,所述移相控制電路裝置由4個(gè)移相控制電路構(gòu)成;電壓取樣電路(4)、電流取樣電路(6)及溫度取樣電路(3)分別連接至電壓比較器(7),所述電壓比較器的下拉輸出端連接至光耦控制裝置(8)的負(fù)端,所述光耦控制裝置的正端連接所述4個(gè)移相控制電路輸出的正端,所述光耦控制裝置由4只光耦的輸入端順向串聯(lián)構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置,其特征是:所述三相可控硅移相控制倍壓整流電路由4只單相可控硅組成單相整流橋,該整流橋的輸入端接三相A、B、C的任意兩端,兩串聯(lián)的濾波電容的聯(lián)接點(diǎn)接三相A、B、C的三相的另一相,單向可控硅組成的單相整流橋的正輸出端接所述的兩串聯(lián)濾波電容的正端,單向可控硅組成的單相整流橋的負(fù)輸出端接所述的兩串聯(lián)濾波電容的負(fù)端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置,其特征是:所述4只單向可控硅,其觸發(fā)電路均相同,且每只單向可控硅的構(gòu)成均為:觸發(fā)極接三極管的E極,三極管C極經(jīng)一并聯(lián)的電阻和電容接該單向可控硅的陽(yáng)極,三極管的B極經(jīng)一電容器接所述兩串聯(lián)濾波電容的正端,三極管的B極與單向可控硅陽(yáng)極之間垮接二極管由正到負(fù),并與電阻并聯(lián),三極管的B極還接光耦的E極,所述單向可控硅陽(yáng)極還接光耦的C極,4只光耦的輸入端順向串聯(lián),串聯(lián)后的正輸入端接所述兩串聯(lián)濾波電容的正端,4只光耦輸入端順向串聯(lián)后的負(fù)輸入端接電壓比較器的下拉輸出端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置,其特征是:所述電壓取樣電路采用兩串聯(lián)的輸出電壓取樣電阻垮接兩串聯(lián)濾波電容的正負(fù)端,其連接點(diǎn)經(jīng)電阻接電壓比較器的負(fù)輸入端,其正輸入端連接設(shè)定的基準(zhǔn)電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置,其特征是:所述電流取樣電路輸出電流正信號(hào)至電壓比較器的負(fù)輸入端,電壓比較器的下拉輸出端接另一個(gè)電壓比較器負(fù)輸入端。
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H02M7-00 交流功率輸入變換為直流功率輸出;直流功率輸入變換為交流功率輸出
H02M7-02 .不可逆的交流功率輸入變換為直流功率輸出
H02M7-42 .不可逆的直流功率輸入變換為交流功率輸出的
H02M7-66 .帶有可逆變的
H02M7-68 ..用靜態(tài)變換器的
H02M7-86 ..用動(dòng)態(tài)變換器的





